DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
配置 | 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 |
最大非重复峰值正向电流 | 2 A |
元件数量 | 4 |
端子数量 | 6 |
最高工作温度 | 125 °C |
最大输出电流 | 0.1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 | 0.9 W |
认证状态 | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
HN1D02FTE85R | HN1D02FTE85L | HN1D02FTE85N | |
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描述 | DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode | DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode |
厂商名称 | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) | Toshiba(东芝) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
配置 | 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS | 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS |
二极管元件材料 | SILICON | SILICON | SILICON |
二极管类型 | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE | RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF) | 1.2 V | 1.2 V | 1.2 V |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 | R-PDSO-G6 |
最大非重复峰值正向电流 | 2 A | 2 A | 2 A |
元件数量 | 4 | 4 | 4 |
端子数量 | 6 | 6 | 6 |
最高工作温度 | 125 °C | 125 °C | 125 °C |
最大输出电流 | 0.1 A | 0.1 A | 0.1 A |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
最大功率耗散 | 0.9 W | 0.9 W | 0.9 W |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大反向电流 | 0.5 µA | 0.5 µA | 0.5 µA |
最大反向恢复时间 | 0.004 µs | 0.004 µs | 0.004 µs |
表面贴装 | YES | YES | YES |
端子形式 | GULL WING | GULL WING | GULL WING |
端子位置 | DUAL | DUAL | DUAL |
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