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HN1D02FTE85R

产品描述DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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HN1D02FTE85R概述

DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode

HN1D02FTE85R规格参数

参数名称属性值
厂商名称Toshiba(东芝)
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流2 A
元件数量4
端子数量6
最高工作温度125 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.9 W
认证状态Not Qualified
最大反向电流0.5 µA
最大反向恢复时间0.004 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

HN1D02FTE85R相似产品对比

HN1D02FTE85R HN1D02FTE85L HN1D02FTE85N
描述 DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode DIODE 0.1 A, 4 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, Signal Diode
厂商名称 Toshiba(东芝) Toshiba(东芝) Toshiba(东芝)
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
配置 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS 2 BANKS, COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6 R-PDSO-G6
最大非重复峰值正向电流 2 A 2 A 2 A
元件数量 4 4 4
端子数量 6 6 6
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.9 W 0.9 W 0.9 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大反向电流 0.5 µA 0.5 µA 0.5 µA
最大反向恢复时间 0.004 µs 0.004 µs 0.004 µs
表面贴装 YES YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL DUAL

 
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