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IXFK260N17T

产品描述Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 170V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小123KB,共5页
制造商IXYS
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IXFK260N17T概述

Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 170V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN

IXFK260N17T规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IXYS
零件包装代码TO-264AA
包装说明PLASTIC, TO-264, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas)3000 mJ
外壳连接DRAIN
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压170 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)260 A
最大漏极电流 (ID)260 A
最大漏源导通电阻0.0065 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-264AA
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e1
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1670 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)700 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层TIN SILVER COPPER
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON

IXFK260N17T相似产品对比

IXFK260N17T IXFX260N17T
描述 Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 170V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-264AA, PLASTIC, TO-264, 3 PIN Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 170V, 0.0065ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
是否无铅 不含铅 不含铅
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 IXYS IXYS
包装说明 PLASTIC, TO-264, 3 PIN PLASTIC, PLUS247, 3 PIN
针数 3 3
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99
其他特性 AVALANCHE RATED AVALANCHE RATED
雪崩能效等级(Eas) 3000 mJ 3000 mJ
外壳连接 DRAIN DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压 170 V 170 V
最大漏极电流 (Abs) (ID) 260 A 260 A
最大漏极电流 (ID) 260 A 260 A
最大漏源导通电阻 0.0065 Ω 0.0065 Ω
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 R-PSIP-T3
JESD-609代码 e1 e1
元件数量 1 1
端子数量 3 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 175 °C 175 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 1670 W 1670 W
最大脉冲漏极电流 (IDM) 700 A 700 A
认证状态 Not Qualified Not Qualified
表面贴装 NO NO
端子面层 TIN SILVER COPPER TIN SILVER COPPER
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
晶体管应用 SWITCHING SWITCHING
晶体管元件材料 SILICON SILICON
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