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MSV38,069-E28X

产品描述Variable Capacitance Diode, KU Band, 1.08pF C(T), 45V, Silicon, CERAMIC PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小595KB,共4页
制造商Cobham Semiconductor Solutions
标准
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MSV38,069-E28X概述

Variable Capacitance Diode, KU Band, 1.08pF C(T), 45V, Silicon, CERAMIC PACKAGE-2

MSV38,069-E28X规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Cobham Semiconductor Solutions
包装说明R-CDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压45 V
配置SINGLE
二极管电容容差11.11%
标称二极管电容1.08 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
频带KU BAND
JESD-30 代码R-CDSO-G2
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量2
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.1 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数2800
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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45 V Silicon Varactor Diodes
MSV38,000 Series
Description
The work horse of varactors these diodes are built tough with
fully passivated mesa construction and Aeroflex / Metelics tri-
metallization. Featuring a nominal gamma of 0.46 these diodes
find application in tunable filters and oscillators up to 18 GHz.
Features
0 to 45 Volt tuning voltage
Tuning ratios up to 5.5 typical
Screening per MIL-PRF-19500
and MIL-PRF-35834 available
Absolute Maximum Ratings
Parameters
Reverse Voltage
Forward Current
Power Dissipation
Chip
E28, E28X & 0805-2
H20, P55 & T86
Operating Temperature
Chip
E28, E28X & 0805-2
H20, P55 & T86
Storage Temperature
Soldering Temperature
Chip
Packaged
45 V
100 mA
250 mW at T
C
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
C
= +200
°C
100 mW at T
A
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
A
= +1
°C
50
100 mW at T
A
= 25
°C,
derate linearly to zero at T
A
= +200
°C
-65
°C
to +200
°C
-65
°C
to +1
°C
50
-65
°C
to +200
°C
Same as operating temperature.
+320
°C
for 10 seconds
+260
°C
peak per JEDEC J-STD-20C
Rating
Chip
Electrical Specifications,
T
A
= 25
°C
Model
MSV38,060
MSV38,064
MSV38,067
MSV38,069
MSV38,075
MSV38,082
MSV38,087
MSV38,092
Test Conditions
V
BR
MIN
V
45
45
45
45
45
45
45
45
I
R
=
10 A
C
J
MIN
pF
0.36
0.54
0.72
0.90
1.62
3.42
5.22
8.82
Tuning Ratio
MAX
pF
0.44
0.66
0.88
1.10
1.98
4.18
6.38
10.78
NOM
pF
0.4
0.6
0.8
1.0
1.8
3.8
5.8
9.8
V
R
= 4 V
F = 1 MHz
MIN
4.5
4.5
4.5
5.0
5.0
5.0
5.0
5.0
TYP
5.0
5.0
5.0
5.5
5.5
5.5
5.5
5.5
Q
MIN
4,500
3,200
3,000
2,800
2,600
2,100
1,800
1,800
V
R
= 4 V
F = 50
MHz
R
S
MAX
1.8
1.7
1.3
1.0
0.7
0.4
0.3
0.2
F = 1 GHz
Outline
C1
2
C1
2
C1
2
C1
2
C1
2
C1
2
C1
2
C22
V
R
= 0 V & V
R
= 45 V
F = 1 MHz
Revision Date: 10/05/05
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