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DS1750YLPM-200IND

产品描述Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 200ns, CMOS,
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文件大小161KB,共12页
制造商DALLAS
官网地址http://www.dalsemi.com
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DS1750YLPM-200IND概述

Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 200ns, CMOS,

DS1750YLPM-200IND规格参数

参数名称属性值
厂商名称DALLAS
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间200 ns
其他特性DATA RETENTION = 10 YRS
JESD-30 代码R-XDFP-U34
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端口数量1
端子数量34
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX8
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式J INVERTED
端子位置DUAL

DS1750YLPM-200IND相似产品对比

DS1750YLPM-200IND
描述 Non-Volatile SRAM Module, 512KX8, 200ns, CMOS,
厂商名称 DALLAS
Reach Compliance Code unknown
最长访问时间 200 ns
其他特性 DATA RETENTION = 10 YRS
JESD-30 代码 R-XDFP-U34
内存密度 4194304 bit
内存集成电路类型 NON-VOLATILE SRAM MODULE
内存宽度 8
功能数量 1
端口数量 1
端子数量 34
字数 524288 words
字数代码 512000
工作模式 ASYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C
最低工作温度 -40 °C
组织 512KX8
输出特性 3-STATE
可输出 YES
封装主体材料 UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR
封装形式 FLATPACK
并行/串行 PARALLEL
认证状态 Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 2.7 V
标称供电电压 (Vsup) 3 V
表面贴装 YES
技术 CMOS
温度等级 INDUSTRIAL
端子形式 J INVERTED
端子位置 DUAL
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