NPN Silicon Planar Medium Power Transistor
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 |
Reach Compliance Code | compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最大集电极电流 (IC) | 5 A |
集电极-发射极最大电压 | 60 V |
配置 | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE) | 75 |
JEDEC-95代码 | TO-92 |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | BOTTOM |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 130 MHz |
TSC5988CTA3 | TSC5988CTB0 | TSC5988 | |
---|---|---|---|
描述 | NPN Silicon Planar Medium Power Transistor | NPN Silicon Planar Medium Power Transistor | NPN Silicon Planar Medium Power Transistor |
厂商名称 | Taiwan Semiconductor | Taiwan Semiconductor | - |
包装说明 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 | - |
Reach Compliance Code | compliant | compli | - |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | - |
最大集电极电流 (IC) | 5 A | 5 A | - |
集电极-发射极最大电压 | 60 V | 60 V | - |
配置 | SINGLE | SINGLE | - |
最小直流电流增益 (hFE) | 75 | 75 | - |
JEDEC-95代码 | TO-92 | TO-92 | - |
JESD-30 代码 | O-PBCY-T3 | O-PBCY-T3 | - |
元件数量 | 1 | 1 | - |
端子数量 | 3 | 3 | - |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | - |
封装形状 | ROUND | ROUND | - |
封装形式 | CYLINDRICAL | CYLINDRICAL | - |
极性/信道类型 | NPN | NPN | - |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | - |
表面贴装 | NO | NO | - |
端子形式 | THROUGH-HOLE | THROUGH-HOLE | - |
端子位置 | BOTTOM | BOTTOM | - |
晶体管元件材料 | SILICON | SILICON | - |
标称过渡频率 (fT) | 130 MHz | 130 MHz | - |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved