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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> MV104RL
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MV104RL

产品描述39.5pF, 32V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小121KB，共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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MV104RL概述

39.5pF, 32V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN

MV104RL规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明O-PBCY-T3
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EUROPEAN PART NUMBER
最小击穿电压32 V
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差6.33%
最小二极管电容比2.5
标称二极管电容39.5 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
JESD-609代码e0
元件数量2
端子数量3
最高工作温度125 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）NOT SPECIFIED
最大功率耗散0.28 W
认证状态Not Qualified
最小质量因数100
表面贴装NO
端子面层TIN LEAD
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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MV104
Silicon Tuning Diode
Dual Voltage Variable Capacitance Diode
This device is designed for FM tuning, general frequency control
and tuning, or any top- of- the- line application requiring
- -
-
back- -back diode configurations for minimum signal distortion and
-to-
detuning.
Features
http://onsemi.com
Pin 1
A1
Pin 2
C
Pin 3
A2
•
High Figure of Merit --
•
•
•
•
Q = 140 (Typ) @ V
R
= 3.0 Vdc, f = 100 MHz
Guaranteed Capacitance Range - 37- pF @ V
R
= 3.0 Vdc
- -42
Dual Diodes - Save Space and Reduce Cost
-
Monolithic Chip Provides Near Perfect Matching -
-
Guaranteed
±
1.0% (Max) Over Specified Tuning Range
This is a Pb-
-Free Device*
12
TO-
-92
CASE 29
STYLE 15
MAXIMUM RATINGS
(EACH DIODE)
Rating
Reverse Voltage
Forward Current
Total Power Dissipation @ T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Junction Temperature
Storage Temperature Range
Symbol
V
R
I
F
P
D
T
J
T
stg
Value
32
200
280
2.8
+125
--55 to
+150
Unit
Vdc
mAdc
mW
mW/°C
°C
°C
3
STRAIGHT LEAD
BULK PACK
MARKING DIAGRAM
MV
104
AYWW
G
G
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
A
= Assembly Location
Y
= Year
WW = Work Week
= Pb--Free Package
G
(Note: Microdot may be in either location)
ORDERING INFORMATION
Device
MV104G
Package
TO--92
(Pb--Free)
Shipping
†
5000 Units / Bulk
*For additional information on our Pb--Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
C
T
, Diode Capacitance
V
R
= 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz
pF
Device
MV104
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2007
†For information on tape and reel specifications,
including part orientation and tape sizes, please
refer to our Tape and Reel Packaging Specification
Brochure, BRD8011/D.
Q, Figure of Merit
V
R
= 3.0 Vdc
f = 100 MHz
C
R
, Capacitance Ratio
C
3
/C
30
f = 1.0 MHz
Min
2.5
Max
2.8
Min
37
Max
42
1
Min
100
Typ
140
April, 2007 - Rev. 5
-
Publication Order Number:
MV104/D

MV104RL相似产品对比

MV104RL MV104RLRE MV104RL1 MV104RLRM MV104RLRP MV104ZL1
描述 39.5pF, 32V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN DIODE 39.5 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, Variable Capacitance Diode 39.5pF, 32V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN DIODE 39.5 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, Variable Capacitance Diode DIODE 39.5 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN, Variable Capacitance Diode 39.5pF, 32V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE, TO-92, CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
包装说明 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数 3 3 3 3 3 3
制造商包装代码 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最小击穿电压 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V 32 V
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管电容容差 6.33% 6.33% 6.33% 6.33% 6.33% 6.33%
最小二极管电容比 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5 2.5
标称二极管电容 39.5 pF 39.5 pF 39.5 pF 39.5 pF 39.5 pF 39.5 pF
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 2 2 2 2 2 2
端子数量 3 3 3 3 3 3
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度） NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大功率耗散 0.28 W 0.28 W 0.28 W 0.28 W 0.28 W 0.28 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最小质量因数 100 100 100 100 100 100
表面贴装 NO NO NO NO NO NO
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
其他特性 EUROPEAN PART NUMBER 1% MATCHING GUARANTEED EUROPEAN PART NUMBER 1% MATCHING GUARANTEED - EUROPEAN PART NUMBER

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