Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> MUN5335DW1T2

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MUN5335DW1T2: 产品描述100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小1MB，共13页; 制造商Rochester Electronics; 官网地址https://www.rocelec.com/

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MUN5335DW1T2概述

100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR

MUN5335DW1T2规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.4
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	NOT SPECIFIED
元件数量	2
端子数量	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN AND PNP
认证状态	COMMERCIAL
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管元件材料	SILICON

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MUN5335DW1T2相似产品对比

	MUN5335DW1T2	MUN5312DW1T2
描述	100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR	100mA, 50V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, CASE 419B-01, 6 PIN
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Rochester Electronics	Rochester Electronics
Reach Compliance Code	unknown	unknown
其他特性	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 21.4	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	80	60
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	2	2
端子数量	6	6
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	240
极性/信道类型	NPN AND PNP	NPN AND PNP
认证状态	COMMERCIAL	COMMERCIAL
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	30
晶体管元件材料	SILICON	SILICON

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