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MTM25N10E

产品描述Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小65KB,共1页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MTM25N10E概述

Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 100V, 0.075ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-204AE

MTM25N10E规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明FLANGE MOUNT, O-MBFM-P2
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压100 V
最大漏极电流 (ID)25 A
最大漏源导通电阻0.075 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-204AE
JESD-30 代码O-MBFM-P2
元件数量1
端子数量2
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值150 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
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