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MUN5111T1概述

PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323

MUN5111T1规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)
包装说明	,
Reach Compliance Code	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.05 A
最小直流电流增益 (hFE)	35
元件数量	1
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W
表面贴装	YES
晶体管元件材料	SILICON

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MUN5111T1相似产品对比

	MUN5111T1	MUN5132T1	MUN5116T1	MUN5133T1	MUN5113T1	MUN5114T1
描述	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323	PRE-BIASED \"DIGITAL\" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,50MA I(C),SOT-323
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)	NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
最大集电极电流 (IC)	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A	0.05 A
最小直流电流增益 (hFE)	35	15	160	80	80	80
元件数量	1	1	1	1	1	1
极性/信道类型	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W	0.15 W
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON

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