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S-LMUN5231DW1T1G

产品描述Small Signal Bipolar Transistor,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小238KB,共10页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
标准  
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S-LMUN5231DW1T1G概述

Small Signal Bipolar Transistor,

S-LMUN5231DW1T1G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称LRC
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Dual Bias ResistorTransistors
NPN Silicon Surface Mount Transistors
with Monolithic Bias Resistor Network
The BRT (Bias Resistor Transistor) contains a single transistor with a monolithic bias
network consisting of two resistors; a series base resistor and a base–emitter resistor. These
digital transistors are designed to replace a single device and its external resistor bias network.
The BRT eliminates these individual components by integrating them into a single device. In
the LMUN5211DW1T1 series, two BRT devices are housed in the SOT–363 package which
is ideal for low power surface mount applications where board space is at a premium.
• Simplifies Circuit Design
• Reduces Board Space
• Reduces Component Count
LMUN5211DW1T1G
Series
S-LMUN5211DW1T1G
Series
6
5
4
1
2
3
SC-88/SOT-363
• We declare that the material of product compliance with RoHS requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and
Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.
6
5
4
MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted, common for Q
1
and Q
2
)
Rating
Symbol Value
Unit
Collector-Base Voltage
V
CBO
50
Vdc
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
50
Vdc
Collector Current
I
C
100
mAdc
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
(One Junction Heated)
Symbol
Max
Unit
Total Device Dissipation
P
D
187 (Note 1.)
mW
256 (Note 2.)
T
A
= 25°C
1.5 (Note 1.)
mW/°C
Derate above 25°C
2.0 (Note 2.)
Thermal Resistance –
Junction-to-Ambient
Characteristic
(Both Junctions Heated)
Total Device Dissipation
T
A
= 25°C
Derate above 25°C
Thermal Resistance –
Junction-to-Ambient
Thermal Resistance –
Junction-to-Lead
Junction and Storage
Temperature
1. FR–4 @ Minimum Pad
R
θJA
670 (Note 1.)
490 (Note 2.)
°C/W
Q
2
R
2
R
1
1
2
R
1
R
2
Q
1
3
MARKING DIAGRAM
6
5
4
7X
1
2
3
7X = Device Marking
=
(See Page 2)
Symbol
P
D
Max
250 (Note 1.)
385 (Note 2.)
2.0 (Note 1.)
3.0 (Note 2.)
493 (Note 1.)
325 (Note 2.)
188 (Note 1.)
208 (Note 2.)
–55 to +150
Unit
mW
mW/°C
°C/W
°C/W
°C
DEVICE MARKING
INFORMATION
See specific marking information in
the device marking table on page 2 of
this data sheet.
R
θJA
R
θJL
T
J
, T
stg
2. FR–4 @ 1.0 x 1.0 inch Pad
Rev.A 1/10
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一点PCB方面的小知识
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