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HYS64V1000GU-70

产品描述Synchronous DRAM, 1MX64, CMOS, DIMM-168
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文件大小68KB,共9页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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HYS64V1000GU-70概述

Synchronous DRAM, 1MX64, CMOS, DIMM-168

HYS64V1000GU-70规格参数

参数名称属性值
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码DIMM
包装说明,
针数168
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
访问模式DUAL BANK PAGE BURST
JESD-30 代码R-XDMA-N168
内存密度67108864 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度64
功能数量1
端口数量1
端子数量168
字数1048576 words
字数代码1000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1MX64
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子位置DUAL

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3.3V 1M x 64-Bit SDRAM Module
3.3V 1M x 72-Bit SDRAM Module
168 pin unbuffered DIMM Modules
HYS64V1000GS-10/-12/-15
HYS72V1000GS-10/-12/-15
Target Information
168 Pin JEDEC Standard, Unbuffered 8 Byte
Dual-In-Line SDRAM Module
1 bank 1M x 64, 1M x 72 organisation
Optimized for byte-write non-parity or ECC applications
JEDEC standard Synchronous DRAMs (SDRAM)
Performance:
-10
f
CK
t
CK3
t
AC3
Clock frequency
Clock cycle time
Clock access time
CAS latency = 3
-12
83
12
11
-15
66
15
13
Units
MHz
ns
ns
100
10
9
Single +3.3V(± 0.3V ) power supply
Programmable CAS Latency, Burst Length and Wrap Sequence
Auto Refresh (CBR) and Self Refresh
Decoupling capacitors mounted on substrate
All inputs, outputs are LVTTL compatible
Serial presence detects
Utilizes four / five 1M x 16 SDRAMs in TSOPII-50 packages
4096 refresh cycles every 64 ms
Gold contact pad
Card Size: 133,35mm x 25,40mm x 3,00 mm
This SDRAM product familiy is intended to be fully pin and architecture compatible with the 168
pin Unbuffered DRAM DIMM module family.
Semiconductor Group
1
4.96

HYS64V1000GU-70相似产品对比

HYS64V1000GU-70 HYS64V1000GU-50 HYS64V1000GU-60
描述 Synchronous DRAM, 1MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 1MX64, CMOS, DIMM-168 Synchronous DRAM, 1MX64, CMOS, DIMM-168
厂商名称 Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌) Infineon(英飞凌)
零件包装代码 DIMM DIMM DIMM
针数 168 168 168
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
访问模式 DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST DUAL BANK PAGE BURST
JESD-30 代码 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168 R-XDMA-N168
内存密度 67108864 bit 67108864 bit 67108864 bit
内存集成电路类型 SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度 64 64 64
功能数量 1 1 1
端口数量 1 1 1
端子数量 168 168 168
字数 1048576 words 1048576 words 1048576 words
字数代码 1000000 1000000 1000000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1MX64 1MX64 1MX64
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V 3.3 V
表面贴装 NO NO NO
技术 CMOS CMOS CMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 DUAL DUAL DUAL
Base Number Matches - 1 1
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