EEPROM, 2KX8, 700ns, Parallel, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Catalyst |
| 零件包装代码 | DIP |
| 包装说明 | DIP, DIP24(UNSPEC) |
| 针数 | 24 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 700 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面 | NO |
| 数据轮询 | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 长度 | 31.877 mm |
| 内存密度 | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 |
| 功能数量 | 1 |
| 端子数量 | 24 |
| 字数 | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP |
| 封装等效代码 | DIP24(UNSPEC) |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE |
| 并行/串行 | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3 V |
| 编程电压 | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm |
| 最大待机电流 | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子节距 | 2.54 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO |
| 宽度 | 15.24 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms |
| CAT28C16V3P-70 | CAT28C16V3K-70 | CAT28C16V3N-70 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | EEPROM, 2KX8, 700ns, Parallel, CMOS, PDIP24, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-24 | EEPROM, 2KX8, 700ns, Parallel, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOIC-24 | EEPROM, 2KX8, 700ns, Parallel, CMOS, PQCC32, PLASTIC, LCC-32 |
| 是否无铅 | 含铅 | 含铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
| 零件包装代码 | DIP | SOIC | QFJ |
| 包装说明 | DIP, DIP24(UNSPEC) | SOP, SOP24,.45 | QCCJ, LDCC32,.5X.6 |
| 针数 | 24 | 24 | 32 |
| Reach Compliance Code | unknown | unknown | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
| 最长访问时间 | 700 ns | 700 ns | 700 ns |
| 其他特性 | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE | AUTOMATIC WRITE |
| 命令用户界面 | NO | NO | NO |
| 数据轮询 | YES | YES | YES |
| 耐久性 | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles | 10000 Write/Erase Cycles |
| JESD-30 代码 | R-PDIP-T24 | R-PDSO-G24 | R-PQCC-J32 |
| JESD-609代码 | e0 | e0 | e0 |
| 长度 | 31.877 mm | 15.4 mm | 13.97 mm |
| 内存密度 | 16384 bit | 16384 bit | 16384 bit |
| 内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
| 内存宽度 | 8 | 8 | 8 |
| 功能数量 | 1 | 1 | 1 |
| 端子数量 | 24 | 24 | 32 |
| 字数 | 2048 words | 2048 words | 2048 words |
| 字数代码 | 2000 | 2000 | 2000 |
| 工作模式 | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | 70 °C | 70 °C | 70 °C |
| 组织 | 2KX8 | 2KX8 | 2KX8 |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | DIP | SOP | QCCJ |
| 封装等效代码 | DIP24(UNSPEC) | SOP24,.45 | LDCC32,.5X.6 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | IN-LINE | SMALL OUTLINE | CHIP CARRIER |
| 并行/串行 | PARALLEL | PARALLEL | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 电源 | 3 V | 3 V | 3 V |
| 编程电压 | 3 V | 3 V | 3 V |
| 认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 5.08 mm | 2.65 mm | 3.55 mm |
| 最大待机电流 | 0.00005 A | 0.00005 A | 0.00005 A |
| 最大压摆率 | 0.01 mA | 0.01 mA | 0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V | 3.3 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | 2.7 V | 2.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3 V | 3 V | 3 V |
| 表面贴装 | NO | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | COMMERCIAL | COMMERCIAL | COMMERCIAL |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE | GULL WING | J BEND |
| 端子节距 | 2.54 mm | 1.27 mm | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL | DUAL | QUAD |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED | NOT SPECIFIED |
| 切换位 | NO | NO | NO |
| 宽度 | 15.24 mm | 7.5 mm | 11.43 mm |
| 最长写入周期时间 (tWC) | 20 ms | 20 ms | 20 ms |
| 厂商名称 | Catalyst | Catalyst | - |
| Base Number Matches | - | 1 | 1 |
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