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IS25C256-3PLA3

产品描述EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC DIP-8
产品类别存储    存储   
文件大小443KB,共18页
制造商Integrated Silicon Solution ( ISSI )
标准  
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IS25C256-3PLA3概述

EEPROM, 32KX8, Serial, CMOS, PDIP8, 0.300 INCH, LEAD FREE, PLASTIC DIP-8

IS25C256-3PLA3规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Integrated Silicon Solution ( ISSI )
零件包装代码DIP
包装说明DIP, DIP8,.3
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)2.1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性100000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDIP-T8
JESD-609代码e3
长度9.325 mm
内存密度262144 bit
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIP
封装等效代码DIP8,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3/5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.57 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00002 A
最大压摆率0.006 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)2.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE
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