Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BUL54ASMDR4

BUL54ASMDR4: 产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小21KB，共2页; 制造商TT Electronics plc; 官网地址http://www.ttelectronics.com/; 标准

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BUL54ASMDR4概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN

BUL54ASMDR4规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant
外壳连接	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A
集电极-发射极最大电压	500 V
配置	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	5
JESD-30 代码	R-CBCC-N3
JESD-609代码	e4
元件数量	1
端子数量	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	GOLD
端子形式	NO LEAD
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz

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BUL54ASMD

MECHANICAL DATA

Dimensions in mm

0 .8 9

(0 .0 3 5 )

m in .

3 .7 0 (0 .1 4 6 )

3 .4 1 (0 .1 3 4 )

4 .1 4 (0 .1 6 3 )

3 .8 4 (0 .1 5 1 )

ADVANCED

DISTRIBUTED BASE DESIGN

HIGH VOLTAGE

HIGH SPEED NPN

SILICON POWER TRANSISTOR

3 .6 0 (0 .1 4 2 )

M a x .

• SEMEFAB DESIGNED AND DIFFUSED DIE

• HIGH VOLTAGE

• FAST SWITCHING (t

= 40ns)

• EXCEPTIONAL HIGH TEMPERATURE

PERFORMANCE

• HIGH ENERGY RATING

• EFFICIENT POWER SWITCHING

• MILITARY AND HI–REL OPTIONS

0 .7 6

(0 .0 3 0 )

m in .

1 0 .6 9 (0 .4 2 1 )

1 0 .3 9 (0 .4 0 9 )

1 6 .0 2 (0 .6 3 1 )

1 5 .7 3 (0 .6 1 9 )

9 .6

9 .3

1 1 .5

1 1 .2

7 (0

8 (0

.3 8

.3 6

.4 5

.4 4

1 )

9 )

6 )

4 )

0 .5 0 (0 .0 2 0 )

0 .2 6 (0 .0 1 0 )

FEATURES

• Multi–base design for efficient energy

distribution across the chip resulting in

significantly improved switching and energy

ratings across full temperature range.

• Ion implant and high accuracy masking for

tight control of characteristics from batch to

batch.

• Triple Guard Rings for improved control of

high voltages.

SMD1 Package

Pad 1 – Base

Pad 2 – Collector

Pad 3 – Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

case

= 25°C unless otherwise stated)

CBO

CEO

EBO

C(PK)

tot

stg

Semelab plc.

Collector – Base Voltage

Collector – Emitter Voltage (I

= 0)

Emitter – Base Voltage

Collector Current

Peak Collector Current

Base Current

Total Dissipation at T

case

= 25°C

Derate above 25°C when used on efficient heatsink

Operating and Storage Temperature Range

Thermal Resistance Junction – Case

Telephone +44(0)1455 556565. Fax +44(0)1455 552612.

E-mail:

sales@semelab.co.uk

Website:

http://www.semelab.co.uk

1000V

500V

10V

0.8A

35W

0.2W/°C

–65 to 200°C

3.5°C/W

Prelim. 7/00

BUL54ASMDR4相似产品对比

	BUL54ASMDR4	BUL54ASMD	BUL54ASMD-QR-BR4	BUL54ASMD-QR-B
描述	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN	Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 500V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Ceramic, Metal-Sealed Cofired, 3 Pin, CERAMIC, SMD1, 3 PIN
是否Rohs认证	符合	不符合	符合	不符合
厂商名称	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc	TT Electronics plc
包装说明	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3	CHIP CARRIER, R-CBCC-N3
Reach Compliance Code	compliant	compliant	compliant	compliant
外壳连接	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)	2 A	2 A	2 A	2 A
集电极-发射极最大电压	500 V	500 V	500 V	500 V
配置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)	5	5	5	5
JESD-30 代码	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3	R-CBCC-N3
元件数量	1	1	1	1
端子数量	3	3	3	3
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER	CHIP CARRIER
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	NPN	NPN	NPN	NPN
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES	YES	YES
端子形式	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD	NO LEAD
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	20 MHz	20 MHz	20 MHz	20 MHz

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