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TBC549C

产品描述Transistor
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小355KB,共5页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
标准
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TBC549C概述

Transistor

TBC549C规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW NOISE, BULK; 1000
最大集电极电流 (IC)0.1 A
基于收集器的最大容量2.5 pF
集电极-发射极最大电压30 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)420
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-T3
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
极性/信道类型NPN
功耗环境最大值0.625 W
最大功率耗散 (Abs)1.5 W
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置BOTTOM
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)250 MHz
VCEsat-Max0.6 V

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Continental Device India Limited
An ISO/TS 16949, ISO 9001 and ISO 14001 Certified Company
NPN SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
BC549,A.B,C
BC550,A,B,C
TO-92
Plastic Package
For Lead Free Parts, Device
Part # will be Prefixed with
"T"
C
BE
Low Noise Transistors
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T
a
=25ºC)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
Collector Base Voltage
Emitter Base Voltage
Collector Current Continuous
Power Dissipation at T
a
=25ºC
Derate Above 25ºC
Power Dissipation at T
c
=25ºC
Derate Above 25ºC
Operating And Storage Junction
Temperature Range
THERMAL RESISTANCE
Junction to Case
Junction to Ambient in free air
SYMBOL
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
P
D
P
D
T
j
, T
stg
BC549
30
30
5.0
100
625
5.0
1.5
12
- 55 to +150
BC550
45
50
UNITS
V
V
V
mA
mW
mW/ºC
W
mW/ºC
ºC
R
th (j-c)
R
th (j-a)
83.3
200
ºC/W
ºC/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
a
=25ºC unless specified otherwise)
DESCRIPTION
Collector Emitter Voltage
SYMBOL
V
CEO
TEST CONDITION
I
C
=1mA, I
B
=0
BC549
BC550
I
C
=100µA, I
E
=0
BC549
BC550
I
E
=10µA, I
C
=0
V
CB
=30V, I
E
=0
V
CB
=30V, I
E
=0, T
a
= +125ºC
V
EB
=4V, I
C
=0
MIN
30
45
30
50
5.0
15
5.0
15
TYP
MAX
UNITS
V
V
V
V
V
nA
µA
nA
Collector Base Voltage
V
CBO
Emitter Base Voltage
Collector Cut Off Current
Emitter Cut Off Current
BC549_550Rev_1 081205E
V
EBO
I
CBO
I
EBO
Continental Device India Limited
Data Sheet
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TBC549C相似产品对比

TBC549C TBC550B
描述 Transistor Transistor
是否Rohs认证 符合 符合
厂商名称 CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.] CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
包装说明 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3 CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code compliant compliant
其他特性 LOW NOISE, BULK; 1000 LOW NOISE, BULK; 1000
最大集电极电流 (IC) 0.1 A 0.1 A
基于收集器的最大容量 2.5 pF 2.5 pF
集电极-发射极最大电压 30 V 45 V
配置 SINGLE SINGLE
最小直流电流增益 (hFE) 420 200
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-T3 O-PBCY-T3
元件数量 1 1
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 NPN NPN
功耗环境最大值 0.625 W 0.625 W
最大功率耗散 (Abs) 1.5 W 1.5 W
表面贴装 NO NO
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子位置 BOTTOM BOTTOM
晶体管元件材料 SILICON SILICON
标称过渡频率 (fT) 250 MHz 250 MHz
VCEsat-Max 0.6 V 0.6 V
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