BUH50G
SWITCHMODE NPN Silicon
Planar Power Transistor
The BUH50G has an application specific state−of−art die designed
for use in 50 W HALOGEN electronic transformers and
SWITCHMODE applications.
Features
http://onsemi.com
•
Improved Efficiency Due to Low Base Drive Requirements:
•
•
•
•
High and Flat DC Current Gain h
FE
Fast Switching
ON Semiconductor Six Sigma Philosophy Provides Tight and
Reproductible Parametric Distributions
Specified Dynamic Saturation Data
Full Characterization at 125°C
These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant*
POWER TRANSISTOR
4 AMPERES
800 VOLTS, 50 WATTS
COLLECTOR
2,4
1
BASE
3
EMITTER
MAXIMUM RATINGS
Rating
Collector−Emitter Sustaining Voltage
Collector−Base Breakdown Voltage
Collector−Emitter Breakdown Voltage
Emitter−Base Voltage
Collector Current
Collector Current
Base Current
Base Current
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
−
Continuous
−
Peak (Note 1)
Symbol
V
CEO
V
CBO
V
CES
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
I
BM
P
D
T
J
, T
stg
Value
500
800
800
9
4
8
2
4
50
0.4
−65
to 150
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
Vdc
Adc
Adc
Adc
Adc
W
W/_C
_C
1
2
3
4
TO−220AB
CASE 221A−09
STYLE 1
Total Device Dissipation @ T
C
= 25_C
Derate above 25°C
Operating and Storage Temperature
MARKING DIAGRAM
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.
1. Pulse Test: Pulse Width = 5 ms, Duty Cycle
≤
10%.
BUH50G
AY WW
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristics
Thermal Resistance, Junction−to−Case
Thermal Resistance, Junction−to−Ambient
Maximum Lead Temperature for Soldering
Purposes 1/8″ from Case for 5 Seconds
Symbol
R
qJC
R
qJA
T
L
Max
2.5
62.5
260
Unit
_C/W
_C/W
_C
BUH50
A
Y
WW
G
1
= Device Code
= Assembly Location
= Year
= Work Week
= Pb−Free Package
ORDERING INFORMATION
Device
*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please
download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques
Reference Manual, SOLDERRM/D.
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013
Package
TO−220
(Pb−Free)
Shipping
50 Units / Rail
BUH50G
August, 2013
−
Rev. 7
1
Publication Order Number:
BUH50/D
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î
Î
Î Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎ Î Î Î Î
Î Î Î Î Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î Î Î Î Î
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
C
= 25°C unless otherwise noted)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Inductive Load
(V
clamp
= 300 V, V
CC
= 15 V, L = 200
mH)
SWITCHING CHARACTERISTICS: Resistive Load
(D.C.
≤
10%, Pulse Width = 20
ms)
DYNAMIC SATURATION VOLTAGE
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ON CHARACTERISTICS
OFF CHARACTERISTICS
DC Current Gain
(I
C
= 2 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
Collector Cutoff Current
@ T
C
= 25°C
(V
CE
= Rated V
CES
, V
EB
= 0) @ T
C
= 125°C
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Crossover Time
Storage Time
Fall Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Turn−off Time
Turn−on Time
Dynamic Saturation
Voltage:
Determined 1
ms
and
3
ms
respectively after
rising I
B1
reaches
90% of final I
B1
Input Capacitance (V
EB
= 8 Vdc)
Output Capacitance (V
CB
= 10 Vdc, I
E
= 0, f = 1 MHz)
Current Gain Bandwidth (I
C
= 0.5 Adc, V
CE
= 10 Vdc, f = 1 MHz)
DC Current Gain (I
C
= 1 Adc, V
CE
= 5 Vdc)
Collector−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.33 Adc)
Base−Emitter Saturation Voltage
(I
C
= 1 Adc, I
B
= 0.33 Adc)
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.66 Adc) 25°C
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.66 Adc) 100°C
Emitter−Cutoff Current (V
EB
= 9 Vdc, I
C
= 0)
Collector Cutoff Current (V
CE
= Rated V
CEO
, I
B
= 0)
Collector−Emitter Sustaining Voltage (I
C
= 100 mA, L = 25 mH)
(I
C
= 3 Adc, I
B
= 1 Adc)
(I
C
= 2 Adc, I
B
= 0.66 Adc)
I
C
= 1 Adc, I
B1
= 0.3 Adc
I
B2
= 0.3 Adc
V
CC
= 125 Vdc
I
C
= 2 Adc, I
B1
= 0.4 Adc
I
B2
= 1 Adc
V
CC
= 125 Vdc
I
C
= 2 Adc, I
B1
= 0.4 Adc
I
B2
= 0.4 Adc
V
CC
= 125 Vdc
Characteristic
I
C
= 2 A
I
B1
= 0.66 A
V
CC
= 300 V
I
C
= 1 A
I
B1
= 0.33 A
V
CC
= 300 V
I
C
= 2 Adc
I
B1
= 0.66 Adc
I
B2
= 1 Adc
I
C
= 2 Adc
I
B1
= 0.4 Adc
I
B2
= 1 Adc
@ 3
ms
@ 1
ms
@ 3
ms
@ 1
ms
http://onsemi.com
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 125°C
@ T
C
= 25°C
@ T
C
= 25°C
BUH50G
2
V
CEO(sus)
V
CE(dsat)
Symbol
V
CE(sat)
V
BE(sat)
I
CEO
I
EBO
I
CES
C
ob
h
FE
C
ib
t
on
t
on
t
on
t
off
t
off
t
off
f
T
t
c
t
s
t
c
t
s
t
f
t
f
Min
500
4
5
7
0.95
0.75
4
1.75
5
0.86
0.94
0.85
0.32
0.29
Typ
90
100
190
220
150
180
100
850
110
1.7
2.5
1.2
1.7
2.9
2.5
0.3
0.5
0.2
6
14
80
95
95
50
10
13
0.5
100
1000
1200
2.75
Max
150
300
150
200
250
250
100
100
100
2.5
3.5
3.5
0.5
1.2
1.6
1.5
0.6
0.7
2
1
350
mAdc
mAdc
mAdc
MHz
Unit
Vdc
Vdc
Vdc
pF
pF
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ms
ms
ms
ms
V
V
V
V
−
−
ms
BUH50G
TYPICAL STATIC CHARACTERISTICS
10
I
C
/I
B
= 5
VBE , VOLTAGE (VOLTS)
1000
C
ib
(pF)
10000
T
J
= 25°C
f
(test)
= 1 MHz
1
T
J
= 125°C
T
J
= - 40°C
T
J
= 25°C
C, CAPACITANCE (pF)
100
C
ob
(pF)
10
0.1
0.01
0.1
1
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
10
1
1
10
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
100
Figure 7. Base−Emitter Saturation Region
Figure 8. Capacitance
TYPICAL SWITCHING CHARACTERISTICS
3000
2500
2000
t, TIME (ns)
I
C
/I
B
= 5
1500
1000
1000
500
I
C
/I
B
= 3
0
1
2
3
4
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
0
1
I
C
/I
B
= 5
4
2
3
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
5
t, TIME (ns)
2000
I
C
/I
B
= 3
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
I
Boff
= I
C
/2
V
CC
= 125 V
PW = 20
ms
4000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
3000
I
Boff
= I
C
/2
V
CC
= 125 V
PW = 20
ms
Figure 9. Resistive Switching, t
on
4000
I
Boff
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
t, TIME (ns)
300
Figure 10. Resistive Switch Time, t
off
3000
t, TIME (ns)
I
C
/I
B
= 3
I
Boff
= I
C
/2
V
CC
= 15 V
V
Z
= 300 V
L
C
= 200
mH
200
t
c
2000
100
1000
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
0
1
t
fi
I
C
/I
B
= 5
4
0
1
3
2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
4
T
J
= 125°C
T
J
= 25°C
3
2
I
C
, COLLECTOR CURRENT (AMPS)
Figure 11. Inductive Storage Time, t
si
Figure 12. Inductive Storage Time,
t
c
& t
fi
@ I
C
/I
B
= 3
http://onsemi.com
4
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
电子工程世界
