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IDT7M1004S80CB

产品描述Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
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文件大小209KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7M1004S80CB概述

Multi-Port SRAM Module, 8KX9, 80ns, CMOS, CDIP60, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60

IDT7M1004S80CB规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-60
针数60
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间80 ns
其他特性TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T60
JESD-609代码e0
长度79.1845 mm
内存密度73728 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM MODULE
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量60
字数8192 words
字数代码8000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织8KX9
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP60,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别MIL-STD-883 Class B (Modified)
座面最大高度8.128 mm
最大待机电流0.12 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.56 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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