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S-LBAW56LT1G

产品描述Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 70V V(RRM), Silicon, TO-236AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小89KB,共3页
制造商LRC
官网地址http://www.lrc.cn
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S-LBAW56LT1G概述

Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 70V V(RRM), Silicon, TO-236AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3

S-LBAW56LT1G规格参数

参数名称属性值
厂商名称LRC
包装说明R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流0.1 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大功率耗散0.225 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压70 V
最大反向恢复时间0.006 µs
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
Monolithic Dual Switching Diode
Common Anode
Features
We declare that the material of product compliance with RoHS
requirements.
S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring
Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101
Qualified and PPAP Capable.
LBAW56LT1G
S-LBAW56LT1G
3
ORDERING INFORMATION
Device
LBAW56LT1G
S-LBAW56LT1G
LBAW56LT3G
S-LBAW56LT3G
MARKING
A1
A1
Shipping
1
2
3000 Tape & Reel
10000 Tape & Reel
SOT– 23 (TO–236AB)
MAXIMUM RATINGS
(EACH DIODE)
Rating
Reverse Voltage
Forward Current
Peak Forward Surge Current
Symbol
V
R
I
F
I
FM(surge)
Symbol
P
D
Value
70
200
500
Max
225
1.8
556
300
2.4
R
θJA
T
J
, T
stg
417
-55 to +150
Unit
Vdc
mAdc
mAdc
Unit
mW
mW /°C
°C/W
mW
mW /°C
°C/W
°C
3
ANODE
1
CATHODE
2
CATHODE
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Total Device Dissipation FR- 5 Board (1)
T
A
= 25 °C
erate above 25 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Total Device Dissipation
Alumina Substrate,
(2)
T
A
= 25 °C
Derate above 25 °C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
Junction and Storage Temperature
R
θJA
P
D
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25 °C unless otherwise noted) (EACH DIODE)
Characteristic
Symbol
V
(BR)
I
R
30
2.5
50
2.0
Min
70
Max
Unit
Vdc
µAdc
OFF CHARACTERISTICS
Reverse Breakdown Voltage
(I
(BR)
= 100
µAdc)
Reverse Voltage Leakage Current
(V
R
= 25 Vdc, T
J
= 150 °C)
(V
R
= 70 Vdc)
(V
R
= 70 Vdc, T
J
= 150 °C)
Diode Capacitance
(V
R
= 0, f = 1.0 MHz)
Forward Voltage
(I
F
= 1.0 mAdc)
(I
F
= 10 mAdc)
(I
F
= 50 mAdc)
(I
F
= 150 mAdc)
Reverse Recovery Time
(I
F
= I
R
= 10 mAdc, I
R(REC)
= 1.0 mAdc) (Figure 1) R
L
= 100Ω
1. FR-5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in.
2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina.
t
rr
C
V
D
pF
mVdc
F
715
855
1000
1250
6.0
ns
Rev.O 1/3

S-LBAW56LT1G相似产品对比

S-LBAW56LT1G S-LBAW56LT3G
描述 Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 70V V(RRM), Silicon, TO-236AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3 Rectifier Diode, 2 Element, 0.1A, 70V V(RRM), Silicon, TO-236AB, ROHS COMPLIANT PACKAGE-3
厂商名称 LRC LRC
包装说明 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
Reach Compliance Code unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
配置 COMMON ANODE, 2 ELEMENTS COMMON ANODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-236AB TO-236AB
JESD-30 代码 R-PDSO-G3 R-PDSO-G3
元件数量 2 2
端子数量 3 3
最高工作温度 150 °C 150 °C
最低工作温度 -55 °C -55 °C
最大输出电流 0.1 A 0.1 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE
最大功率耗散 0.225 W 0.225 W
参考标准 AEC-Q101 AEC-Q101
最大重复峰值反向电压 70 V 70 V
最大反向恢复时间 0.006 µs 0.006 µs
表面贴装 YES YES
端子形式 GULL WING GULL WING
端子位置 DUAL DUAL

 
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