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MUR110

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小57KB,共3页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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MUR110概述

Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM),

MUR110规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.875 V
最大非重复峰值正向电流35 A
元件数量1
最高工作温度150 °C
最大输出电流1 A
最大重复峰值反向电压100 V
最大反向恢复时间0.025 µs
表面贴装NO

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描述 Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 300V V(RRM), Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 50V V(RRM),
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
厂商名称 Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 0.875 V 1.2 V 1.25 V 1.2 V 0.875 V
最大非重复峰值正向电流 35 A 35 A 35 A 35 A 35 A
元件数量 1 1 1 1 1
最高工作温度 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C 150 °C
最大输出电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
最大重复峰值反向电压 100 V 400 V 600 V 300 V 50 V
最大反向恢复时间 0.025 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.05 µs 0.025 µs
表面贴装 NO NO NO NO NO
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