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MV1401

产品描述Variable Capacitance Diode, 550.5pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小16KB,共1页
制造商Advanced Semiconductor, Inc.
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MV1401概述

Variable Capacitance Diode, 550.5pF C(T), 12V, Silicon, Hyperabrupt, DO-7, GLASS PACKAGE-2

MV1401规格参数

参数名称属性值
厂商名称Advanced Semiconductor, Inc.
零件包装代码DO-7
包装说明O-LALF-W2
针数2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最小击穿电压12 V
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管电容容差14.99%
最小二极管电容比14
标称二极管电容550.5 pF
二极管元件材料SILICON
二极管类型VARIABLE CAPACITANCE DIODE
JEDEC-95代码DO-7
JESD-30 代码O-LALF-W2
元件数量1
端子数量2
最高工作温度200 °C
最低工作温度-65 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
最小质量因数200
最大重复峰值反向电压12 V
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
变容二极管分类HYPERABRUPT

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MV1401
SILICON HYPERABRUPT VARACTOR DIODE
DESCRIPTION:
The
ASI MV1401
is a Silicon Hyper-
Abrupt Tuning Varactor Diode.
FEATURES INCLUDE:
14:1
Minimum Tuning Range
High
Q - 400
Typical
Economical
DO-7
Package
PACKAGE STYLE D0-7
MAXIMUM RATINGS
I
F
V
R
P
DISS
T
J
T
STG
O
O
250 mA
12 V
400 mW @ T
C
= 25 C
-65 C to +200 C
-65 C to +200 C
O
O
O
NONE
CHARACTERISTICS
SYMBOL
V
BR
I
R
C
t
C
T1
/C
T10
Q
V
R
= 2.0 V
I
R
= 10
µA
V
R
= 10 V
V
R
= 1.0 V
T
A
= 25 C
O
TEST CONDITIONS
MINIMUM
12
TYPICAL
MAXIMUM
0.10
UNITS
V
µ
A
pF
---
---
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
f = 1.0 MHz
468
14
200
633
A D V A N C E D S E M I C O N D U C T O R, I N C.
7525 ETHEL AVENUE
NORTH HOLLYWOOD, CA 91605
(818) 982-1202
FAX (818) 765-3004
Specifications are subject to change without notice.
REV. A
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