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1N4002

产品描述1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小130KB,共3页
制造商CYSTEKEC
官网地址http://www.cystekec.com/
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1N4002概述

1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41

1 A, 100 V, 硅, 信号二极管, DO-41

1N4002规格参数

参数名称属性值
端子数量2
元件数量1
状态TRANSFERRED
包装形状
包装尺寸LONG FORM
端子形式线
端子涂层锡 铅
端子位置AXIAL
包装材料塑料/环氧树脂
结构单一的
壳体连接隔离
二极管元件材料
二极管类型信号二极管
反向恢复时间最大2 us
最大重复峰值反向电压100 V
最大平均正向电流1 A

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CYStech Electronics Corp.
Spec. No. : C327LB
Issued Date : 2003.04.17
Revised Date :
Page No. : 1/3
1N400XLB Series
1.0Amp. Glass Passivated Silicon Rectifiers
Features
High current capability
High surge current capability
Plastic material used carries UL flammability classification 94V-0 utilizing flame retardant epoxy molding
compound.
High temperature soldering: 250°C/10 seconds at terminals
High reliability
Low forward voltage drop and low leakage current
Mechanical Data
Case: DO-41 Molded Plastic.
Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-202, Method 208
Polarity: Color band denotes cathode end.
Weight: 0.34 grams
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Rating at 25°C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase, half wave, 60Hz, resistive or
inductive load. For capacitive load, derate current by 20%.
Type Number
1N4001 1N4002 1N4003 1N4004 1N4005 1N4006 1N4007 Units
Maximum Recurrent Peak Reverse Voltage
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum RMS Voltage
35
70
140
280
420
560
700
V
Maximum DC Blocking Voltage
50
100
200
400
600
800
1000
V
Maximum Average Forward Rectified Current
1
A
.375”(9.5mm) lead length at TA=75°C
Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half
Sine-wave Superimposed on Rated Load(JEDEC
30
A
method)
Maximum Instantaneous Forward Voltage @
1
V
1.0A
Maximum DC Reverse Current at Rated DC
5
(@Ta=25°C)
µA
Blocking Voltage
50
(@Ta=125°C)
Typical Junction Capacitance (Note 1)
15
pF
Typical thermal resistance(Note 2)
50
℃/W
Operating Temperature Range Tj
-65 to +175
°C
Storage Temperature Range Tstg
-65 to +175
°C
Notes: 1. Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4.0Volts
2.Thermal resistance from junction to ambient .375”(0.95mm) lead length.
1N400XLB
CYStek Product Specification

1N4002相似产品对比

1N4002 1N4001 1N4003 1N4005 1N4007 1N4004 1N4006 1N400XLB
描述 1 A, 100 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 600 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 1000 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 400 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, 800 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-41 1 A, SILICON, SIGNAL DIODE
端子数量 2 2 2 2 2 2 2 2
元件数量 1 1 1 1 1 1 1 1
状态 TRANSFERRED ACTIVE TRANSFERRED ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE ACTIVE
包装形状 ROUND
包装尺寸 LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM LONG FORM
端子形式 线 线 线 线 线 线 WIRE 线
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL AXIAL
包装材料 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED 玻璃 塑料/环氧树脂 塑料/环氧树脂 UNSPECIFIED PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
结构 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的 单一的 SINGLE 单一的
壳体连接 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离 隔离 ISOLATED 隔离
二极管元件材料 SILICON
二极管类型 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 信号二极管 SIGNAL DIODE 信号二极管
最大平均正向电流 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A 1 A
端子涂层 锡 铅 NOT SPECIFIED - NOT SPECIFIED - - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压 100 V - - 600 V 1000 V 400 V 800 V -
加工封装描述 - MINIATURE PACKAGE-2 ALF-2, DO-41, 2 PIN 塑料 PACKAGE-2 塑料 PACKAGE-2 CASE R-1, 2 PIN ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-204AL, 2 PIN MINIATURE PACKAGE-2
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