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SB8150FCT

产品描述8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小46KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB8150FCT概述

8 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB8150FCT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码TO-220AB
包装说明PLASTIC, ITO-220, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.92 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流4 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB8150FCT – SB8200FCT
Pb
8.0A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring for Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability
Classification 94V-O
C
G
PIN1
2
3
B
Dim
Max
A
14.60
15.40
B
9.70
10.30
C
2.55
2.85
D
3.56
4.16
E
13.00
13.80
F
0.30
0.90
G
3.00 Ø
3.50 Ø
H
6.30
6.90
I
4.20
4.80
J
2.50
2.90
K
0.36
0.80
L
2.90
3.30
P
2.29
2.79
All Dimensions in mm
ITO-220
Min
A
D
Mechanical Data
Case: ITO-220, Full Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 2.24 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
F
P
I
H
L
E
PIN 1 -
+
PIN 2
J
K
PIN 3 -
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 95°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
STG
SB8150FCT
SB8200FCT
Unit
150
105
8.0
150
0.92
0.5
50
700
-65 to +150
200
140
V
V
A
A
V
mA
pF
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 4.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SB8150FCT – SB8200FCT
1 of 4
© 2008 Won-Top Electronics

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