电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

SB16150DC_08

产品描述16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小55KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
下载文档 选型对比 全文预览

SB16150DC_08概述

16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB

文档预览

下载PDF文档
WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB16150DC – SB16200DC
Pb
16A HIGH VOLTAGE SURFACE MOUNT DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring Die Construction for
Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Power Loss, High Efficiency
High Surge Current Capability
For Use in Low Voltage, High Frequency
Inverters, Free Wheeling, and Polarity
Protection Applications
A
C
J
B
D
PIN 1
2
3
E
G
H
K
P
P
Mechanical Data
Case: D PAK/TO-263, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 1.7 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Marking: Type Number
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
2
PIN 1 -
PIN 3 -
+
Case, PIN 2
Dim
A
9.80
10.40
B
9.60
10.60
C
4.40
4.80
D
8.50
9.10
E
2.80
G
1.00
1.40
H
0.90
J
1.20
1.40
K
0.30
0.70
P
2.35
2.75
All Dimensions in mm
D
2
PAK/TO-263
Min
Max
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 90°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
STG
SB16150DC
SB16200DC
Unit
150
105
16
150
0.92
0.5
100
700
2.0
-65 to +150
200
140
V
V
A
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 8.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
SB16150DC – SB16200DC
1 of 4
© 2008 Won-Top Electronics

SB16150DC_08相似产品对比

SB16150DC_08 SB16150DC SB16200DC
描述 16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB 16 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-263AB
浅谈手机发射功率(上)
笔者从事手机测试校准系统集成有段时间,感觉到手机发射功率在不同的系统、不同的协议下有很多的不同。笔者对此深感有意思,故把PHS、GSM、cdma2000 1x、wcdma下对手机发射功率的规定罗列于此, ......
无线连接
【视频分享】LM3242 RF功率放大器DC/DC转换器展示
本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 12:41 编辑 Liam为你介绍TI SuPA技术,即适用于2G、3G和4G/LTE RF 功率放大器的DC/DC转换系列。最新LM3242稳压器是自适应电源 IC,可最大限度降低所有工作条 ......
德州仪器_视频 模拟与混合信号
稀里糊涂STM32讲义(不断更新(已更新到第四讲))
稀里糊涂学STM32学习讲义整理版第一次发帖,有点失误了!最近受师傅的指点学习STM32,为了说清楚点师傅陆续做了讲义,传到这里分享一下这里自己是得到授权的哈!其实说的内容比讲义上还要多, ......
wwq123030627 stm32/stm8
linux下读写NOR FLASH的方法
我想直接在Linux下读写NOR FLASH,比如可以直接更新kernel,我想这么做不知道行不行: 通过open("dev/mem")的方法,把NOR FLASH作为设备文件打开,然后再将此设备文件映射到进程虚拟地址空间, ......
chenrvmldd Linux开发
M序列伪随机码在测距回答概率控制中的应用
摘要:通过对机载测距询问器检测中测距回答概率控制的工作特性的分析,提出一种基于m序列伪随机码的具有可设定测距回答概率功能及随机回答特性的测距回答概率控制设计方案,并给出其具体的PLD实 ......
程序天使 FPGA/CPLD
用52做数控开关电源(36v/2A)采集输出电压时用什么样的ad合适?希望兄台不囹赐教
用52做数控开关电源(36v/2A),在采集输出电压时用什么样的ad合适?单片机接收采集到的最终输出信号,然后在单片机外设键盘,显示屏,通过pwm输出控制开关管进行调压,大概就是这样……,希望 ......
zhangpeng263 嵌入式系统

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 199  1683  839  2905  933  21  33  5  39  8 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved