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SB10200CT

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小38KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB10200CT概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB

SB10200CT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Won-Top Electronics Co., Ltd.
零件包装代码TO-220AB
包装说明R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB10150CT – SB10200CT
Pb
10A HIGH VOLTAGE DUAL SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring for Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability
Classification 94V-O
C
G
PIN1
2
3
B
Dim
Max
A
13.90
15.90
B
9.80
10.70
C
2.54
3.43
D
3.56
4.56
E
12.70
14.73
F
0.51
0.96
G
3.55 Ø
4.09 Ø
H
5.75
6.85
I
4.16
5.00
J
2.03
2.92
K
0.30
0.65
L
1.14
1.40
P
2.29
2.79
All Dimensions in mm
TO-220
Min
A
D
Mechanical Data
Case: TO-220, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 2.24 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
F
P
I
H
L
E
PIN 1 -
+
Case, PIN 2
J
K
PIN 3 -
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
C
= 95°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
T
j
, T
STG
SB10150CT
SB10200CT
Unit
150
105
10
150
0.92
0.5
50
700
-65 to +150
200
140
V
V
A
A
V
mA
pF
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 5.0A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
SB10150CT – SB10200CT
1 of 4
© 2008 Won-Top Electronics

SB10200CT相似产品对比

SB10200CT SB10150CT_08 SB10150CT
描述 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB 10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AB
零件包装代码 TO-220AB - TO-220AB
包装说明 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
针数 3 - 3
Reach Compliance Code compli - compli
ECCN代码 EAR99 - EAR99
其他特性 LOW LEAKAGE CURRENT - LOW LEAKAGE CURRENT
应用 HIGH VOLTAGE - HIGH VOLTAGE
外壳连接 CATHODE - CATHODE
配置 COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS - COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料 SILICON - SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE - RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码 TO-220AB - TO-220AB
JESD-30 代码 R-PSFM-T3 - R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流 150 A - 150 A
元件数量 2 - 2
相数 1 - 1
端子数量 3 - 3
最高工作温度 150 °C - 150 °C
最低工作温度 -65 °C - -65 °C
最大输出电流 5 A - 5 A
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 FLANGE MOUNT - FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压 200 V - 150 V
表面贴装 NO - NO
技术 SCHOTTKY - SCHOTTKY
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE - SINGLE
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