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SB10150

产品描述10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小63KB,共4页
制造商Won-Top Electronics Co., Ltd.
官网地址https://www.wontop.com/
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SB10150概述

10 A, 150 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, TO-220AC

SB10150规格参数

参数名称属性值
零件包装代码SFM
包装说明R-PSFM-T2
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用HIGH VOLTAGE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码TO-220
JESD-30 代码R-PSFM-T2
最大非重复峰值正向电流150 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
最大重复峰值反向电压150 V
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
Base Number Matches1

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WTE
POWER SEMICONDUCTORS
SB10150 – SB10200
Pb
10A HIGH VOLTAGE SCHOTTKY BARRIER RECTIFIER
Features
Schottky Barrier Chip
Guard Ring for Transient Protection
Low Forward Voltage Drop
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability
Classification 94V-O
C
G
PIN1
3
B
Dim
Max
A
13.90
15.90
B
9.80
10.70
C
2.54
3.43
D
3.56
4.56
E
12.70
14.73
F
0.51
0.96
G
3.55 Ø
4.09 Ø
H
5.75
6.85
I
4.16
5.00
J
2.03
2.92
K
0.30
0.65
L
1.14
1.40
P
4.83
5.33
All Dimensions in mm
TO-220A
Min
A
D
Mechanical Data
Case: TO-220A, Molded Plastic
Terminals: Plated Leads Solderable per
MIL-STD-202, Method 208
Polarity: See Diagram
Weight: 2.24 grams (approx.)
Mounting Position: Any
Mounting Torque: 11.5 cm-kg (10 in-lbs) Max.
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 4
F
P
I
H
L
E
PIN 1 +
+
Case
J
K
PIN 3 -
Maximum Ratings and Electrical Characteristics
Single Phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load.
For capacitive load, derate current by 20%.
@T
A
=25°C unless otherwise specified
Characteristic
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
RMS Reverse Voltage
Average Rectified Output Current
@T
L
= 95°C
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
V
R(RMS)
I
O
I
FSM
V
FM
I
RM
C
j
R
θJC
T
j
, T
STG
SB10150
SB10200
Unit
150
105
10
150
0.92
0.5
50
700
2.0
-65 to +150
200
140
V
V
A
A
V
mA
pF
°C/W
°C
Non-Repetitive Peak Forward Surge Current
8.3ms Single half sine-wave superimposed
on rated load (JEDEC Method)
Forward Voltage
Peak Reverse Current
At Rated DC Blocking Voltage
@I
F
= 10A
@T
A
= 25°C
@T
A
= 100°C
Typical Junction Capacitance (Note 1)
Typical Thermal Resistance (Note 2)
Operating and Storage Temperature Range
Note: 1. Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0V D.C.
2. Thermal resistance junction to case mounted on heatsink.
SB10150 – SB10200
1 of 4
© 2008 Won-Top Electronics

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