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HZ2B3

产品描述Zener Diode; Configuration: Single; P Max (mW): 500; Package: DO-35
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小99KB,共3页
制造商Galaxy Microelectronics
标准
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HZ2B3概述

Zener Diode; Configuration: Single; P Max (mW): 500; Package: DO-35

HZ2B3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Microelectronics
零件包装代码DO-35
Reach Compliance Codeunknown
配置SINGLE
二极管类型ZENER DIODE
元件数量1
最高工作温度175 °C
最大功率耗散0.5 W
标称参考电压2.2 V
表面贴装NO
最大电压容差2%
工作测试电流192 mA

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BL
ZENER DIODES
FEATURES
Silicon planar power zener diodes
Standard zener voltage tolerance is ±2%.
Other
zener
voltage and tolerances are available upon request.
HZ - - - SERIES
POWER DISSIPATION: 500 mW
DO-35(GLASS)
MECHANICAL DATA
Case:DO--35, glass case
Terminals: solderable per MIL-STD-202, method 208
Polarity: cathode band
Marking: type number
Approx. weight: 0.13 grams.
Dimensions in millimeters
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
ambient temperature unless otherwise specified.
SYMBOL
Zener current (see Table "Characteristics")
VALUE
UNIT
Power dissipation at T
amb
=25
P
tot
500
1)
175
mW
Junction temperature
T
J
Storage temperature
range
T
s
-55---+175
SYMBOL
Thermal resistance junction to ambient
MIN
TYP
MAX
300
1)
1.1
UNIT
/W
R
θ
JA
V
F
Forw ard voltage at I
F
=100mA
V
www.gmesemi.com
NOTES:
(1) Valid provided that leads at a distance of 10 mm from case are kept at ambient temperature.
Document Number HZ
BL
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