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JAN1N5550

产品描述Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小54KB,共2页
制造商Unitrode Corporation
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JAN1N5550概述

Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon,

JAN1N5550规格参数

参数名称属性值
厂商名称Unitrode Corporation
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.2 V
JESD-30 代码O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流100 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-65 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
认证状态Not Qualified
参考标准MIL-19500/420
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流1 µA
最大反向恢复时间2 µs
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

JAN1N5550相似产品对比

JAN1N5550 JANTX1N5550 JAN1N5551
描述 Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 200V V(RRM), Silicon, Rectifier Diode, Avalanche, 1 Phase, 1 Element, 3A, 400V V(RRM), Silicon,
厂商名称 Unitrode Corporation Unitrode Corporation Unitrode Corporation
包装说明 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
Reach Compliance Code unknown unknown unknown
其他特性 HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY HIGH RELIABILITY
应用 GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE GENERAL PURPOSE
外壳连接 ISOLATED ISOLATED ISOLATED
配置 SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF) 1.2 V 1.2 V 1.2 V
JESD-30 代码 O-LALF-W2 O-LALF-W2 O-LALF-W2
最大非重复峰值正向电流 100 A 100 A 100 A
元件数量 1 1 1
相数 1 1 1
端子数量 2 2 2
最高工作温度 175 °C 175 °C 175 °C
最低工作温度 -65 °C -65 °C -65 °C
最大输出电流 3 A 3 A 3 A
封装主体材料 GLASS GLASS GLASS
封装形状 ROUND ROUND ROUND
封装形式 LONG FORM LONG FORM LONG FORM
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified
参考标准 MIL-19500/420 MIL-19500/420 MIL-19500/420
最大重复峰值反向电压 200 V 200 V 400 V
最大反向电流 1 µA 1 µA 1 µA
最大反向恢复时间 2 µs 2 µs 2 µs
表面贴装 NO NO NO
技术 AVALANCHE AVALANCHE AVALANCHE
端子形式 WIRE WIRE WIRE
端子位置 AXIAL AXIAL AXIAL
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