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HM6207HJP-25: 产品描述Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24; 产品类别存储存储; 文件大小115KB，共11页; 制造商Hitachi （Renesas ）; 官网地址http://www.renesas.com/eng/

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HM6207HJP-25概述

Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24

HM6207HJP-25规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ24,.34
针数	24
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
最长访问时间	25 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-J24
JESD-609代码	e0
长度	15.63 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	1
功能数量	1
端子数量	24
字数	262144 words
字数代码	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	256KX1
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ24,.34
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm
最大待机电流	0.002 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
宽度	7.62 mm

HM6207HJP-25相似产品对比

	HM6207HJP-25	HM6207HLJP-35	HM6207HP-45	HM6207HLP-35	HM6207HP-35
描述	Standard SRAM, 256KX1, 25ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24	Standard SRAM, 256KX1, 45ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24	Standard SRAM, 256KX1, 35ns, CMOS, PDIP24, 0.300 INCH, PLASTIC, DIP-24
厂商名称	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）	Hitachi （Renesas ）
零件包装代码	SOJ	SOJ	DIP	DIP	DIP
包装说明	SOJ, SOJ24,.34	SOJ, SOJ24,.34	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.3	DIP, DIP24,.3
针数	24	24	24	24	24
Reach Compliance Code	unknown	unknown	unknown	unknown	unknown
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
最长访问时间	25 ns	35 ns	45 ns	35 ns	35 ns
其他特性	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP	TTL COMPATIBLE INPUTS/OUTPUTS; BATTERY BACKUP
I/O 类型	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE	SEPARATE
JESD-30 代码	R-PDSO-J24	R-PDSO-J24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24	R-PDIP-T24
长度	15.63 mm	15.63 mm	29.88 mm	29.88 mm	29.88 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM	STANDARD SRAM
内存宽度	1	1	1	1	1
功能数量	1	1	1	1	1
端子数量	24	24	24	24	24
字数	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words	262144 words
字数代码	256000	256000	256000	256000	256000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C	70 °C
组织	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1	256KX1
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	SOJ	DIP	DIP	DIP
封装等效代码	SOJ24,.34	SOJ24,.34	DIP24,.3	DIP24,.3	DIP24,.3
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	3.76 mm	3.76 mm	5.08 mm	5.08 mm	5.08 mm
最大待机电流	0.002 A	0.0001 A	0.002 A	0.0001 A	0.002 A
最小待机电流	4.5 V	2 V	4.5 V	2 V	4.5 V
最大压摆率	0.12 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	NO	NO	NO
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	J BEND	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子节距	1.27 mm	1.27 mm	2.54 mm	2.54 mm	2.54 mm
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
宽度	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm	7.62 mm

HM6207HJP-25

HM6207HJP-25概述

HM6207HJP-25规格参数

HM6207HJP-25相似产品对比

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