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NMC2148HJ-2

产品描述IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM
产品类别存储    存储   
文件大小246KB,共5页
制造商National Semiconductor(TI )
官网地址http://www.ti.com
敬请期待 详细参数 选型对比

NMC2148HJ-2概述

IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM

NMC2148HJ-2规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称National Semiconductor(TI )
包装说明DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间45 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-GDIP-T18
JESD-609代码e0
内存密度4096 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度4
功能数量1
端口数量1
端子数量18
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX4
输出特性3-STATE
可输出NO
封装主体材料CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码DIP
封装等效代码DIP18,.3
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度5.08 mm
最大压摆率0.18 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术NMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度7.62 mm

NMC2148HJ-2相似产品对比

NMC2148HJ-2 NMC2148HJ NMC2148HJ-3 NMC2148HJ-L NMC2148HJ-3L
描述 IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 45 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 70 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM IC 1K X 4 STANDARD SRAM, 55 ns, CDIP18, CERAMIC, DIP-18, Static RAM
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI ) National Semiconductor(TI )
包装说明 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3 DIP, DIP18,.3
Reach Compliance Code unknown unknown unknown unknown unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最长访问时间 45 ns 70 ns 55 ns 70 ns 55 ns
I/O 类型 COMMON COMMON COMMON COMMON COMMON
JESD-30 代码 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18 R-GDIP-T18
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0
内存密度 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit 4096 bit
内存集成电路类型 STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM STANDARD SRAM
内存宽度 4 4 4 4 4
功能数量 1 1 1 1 1
端口数量 1 1 1 1 1
端子数量 18 18 18 18 18
字数 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words 1024 words
字数代码 1000 1000 1000 1000 1000
工作模式 ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS ASYNCHRONOUS
最高工作温度 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C 70 °C
组织 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4 1KX4
输出特性 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE 3-STATE
可输出 NO NO NO NO NO
封装主体材料 CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED CERAMIC, GLASS-SEALED
封装代码 DIP DIP DIP DIP DIP
封装等效代码 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3 DIP18,.3
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE IN-LINE
并行/串行 PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
电源 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm 5.08 mm
最大压摆率 0.18 mA 0.18 mA 0.18 mA 0.125 mA 0.125 mA
最大供电电压 (Vsup) 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V 5.5 V
最小供电电压 (Vsup) 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 (Vsup) 5 V 5 V 5 V 5 V 5 V
表面贴装 NO NO NO NO NO
技术 NMOS NMOS NMOS NMOS NMOS
温度等级 COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm 2.54 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
宽度 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm 7.62 mm

 
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