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MT8LSDT1664AG-13E

产品描述Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA168
产品类别存储    存储   
文件大小657KB,共26页
制造商Micron Technology
官网地址http://www.mdtic.com.tw/
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MT8LSDT1664AG-13E概述

Synchronous DRAM Module, 16MX64, 5.4ns, CMOS, PDMA168

MT8LSDT1664AG-13E规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Micron Technology
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间5.4 ns
最大时钟频率 (fCLK)143 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDMA-N168
内存密度1073741824 bit
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM MODULE
内存宽度64
端子数量168
字数16777216 words
字数代码16000000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织16MX64
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码DIMM
封装等效代码DIMM168
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
最大待机电流0.016 A
最大压摆率2.64 mA
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式NO LEAD
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL

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128MB (x64, SR), 256MB (x64, DR)
168-PIN SDRAM UDIMM
SYNCHRONOUS
DRAM MODULE
Features
• 168-pin, dual in-line memory module (DIMM)
• PC100- and PC133-compliant
• Utilizes 125 MHz and 133 MHz SDRAM
components
• Unbuffered
• 128MB (16 Meg x 64) and 256MB (32 Meg x 64)
• Single +3.3V power supply
• Fully synchronous; all signals registered on positive
edge of system clock
• Internal pipelined operation; column address can
be changed every clock cycle
• Internal SDRAM banks for hiding row access/
precharge
• Programmable burst lengths: 1, 2, 4, 8, or full page
• Auto Precharge, includes CONCURRENT AUTO
PRECHARGE and Auto Refresh Modes
• Self Refresh Mode: 64ms, 4,096-cycle refresh
(15.625µs refresh interval)
• LVTTL-compatible inputs and outputs
• Serial Presence-Detect (SPD)
• Gold edge contacts
MT8LSDT1664A – 128MB
MT16LSDT3264A – 256MB
For the latest data sheet, please refer to the Micron
®
Web
site:
www.micron.com/products/modules
Figure 1: 168-Pin DIMM (MO-161)
Standard 1.375in. (34.93mm)
Low Profile 1.125in. (28.58mm)
Options
• Package
168-pin DIMM (standard)
168-pin DIMM (lead-free)
• Frequency/CAS Latency
133 MHz/CL = 2
133 MHz/CL = 3
100 MHz/CL = 2
• PCB
Standard 1.375in. (34.93mm)
Low-Profile 1.125in. (28.58mm)
1
NOTE:
Marking
G
Y
1
-13E
-133
-10E
Table 1:
Timing Parameters
SETUP
TIME
1.5
1.5
2ns
HOLD
TIME
0.8
0.8
1ns
CL = CAS (READ) latency
ACCESS TIME
MODULE
CLOCK
MARKING FREQUENCY CL = 2 CL = 3
-13E
-133
-10E
133 MHz
133 MHz
100 MHz
5.4ns
9ns
5.4ns
7.5ns
1. Contact Micron for product availability.
Table 2:
Address Table
128MB
256MB
4K
4 (BA0, BA1)
128Mb (16 Meg x 8)
4K (A0–A11)
1K (A0–A9)
2 (S0#, S2#; S1#, S3#)
4K
4 (BA0, BA1)
128Mb (16 Meg x 8)
4K (A0–A11)
1K (A0–A9)
1 (S0#, S2#)
Refresh Count
Device Banks
Device Configuration
Row Addressing
Column Addressing
Module Ranks
09005aef80bccbe7
SD8_16C16_32x64AG.fm - Rev. E 12/05 EN
1
©2003, 2004 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
PRODUCTS AND SPECIFICATIONS DISCUSSED HEREIN ARE SUBJECT TO CHANGE BY MICRON WITHOUT NOTICE.
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