Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 含铅 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) |
零件包装代码 | DIP |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 |
针数 | 28 |
Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN代码 | EAR99 |
最长访问时间 | 150 ns |
其他特性 | DATA RETENTION = 10 YRS |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 37.85 mm |
内存密度 | 262144 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 |
混合内存类型 | N/A |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 28 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | DIP |
封装等效代码 | DIP28,.6 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | IN-LINE |
并行/串行 | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 9.52 mm |
最大待机电流 | 0.004 A |
最大压摆率 | 0.04 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | NO |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
宽度 | 15.24 mm |
DS1730Y-150IND | DS1730YLPM-150-IND | DS1730Y-150-IND | DS1730Y-200IND | |
---|---|---|---|---|
描述 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 150ns, CMOS | Non-Volatile SRAM, 32KX8, 150ns, CMOS | 32KX8 NON-VOLATILE SRAM MODULE, 150ns, PDIP28, 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-28 | Non-Volatile SRAM Module, 32KX8, 200ns, CMOS |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 | 不符合 | 不符合 |
Reach Compliance Code | not_compliant | not_compliant | compliant | not_compliant |
最长访问时间 | 150 ns | 150 ns | 150 ns | 200 ns |
内存密度 | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit | 262144 bit |
内存集成电路类型 | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM | NON-VOLATILE SRAM MODULE | NON-VOLATILE SRAM MODULE |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 |
端子数量 | 28 | 34 | 28 | 28 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
封装等效代码 | DIP28,.6 | MODULE,34LEAD,1.0 | DIP28,.6 | DIP28,.6 |
封装形式 | IN-LINE | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | IN-LINE | IN-LINE |
电源 | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V | 3/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
最大待机电流 | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A | 0.004 A |
最大压摆率 | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA | 0.04 mA |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
是否无铅 | 含铅 | - | 含铅 | 含铅 |
厂商名称 | Maxim(美信半导体) | - | Maxim(美信半导体) | Maxim(美信半导体) |
包装说明 | DIP, DIP28,.6 | - | 0.740 INCH, PLASTIC, DIP-28 | 0.740 INCH, PLASTIC, MODULE-28 |
其他特性 | DATA RETENTION = 10 YRS | - | OVER 10 YEARS DATA RETENTION | DATA RETENTION = 10 YRS |
JESD-30 代码 | R-PDIP-T28 | - | R-PDIP-P28 | R-PDIP-T28 |
JESD-609代码 | e0 | - | e0 | e0 |
功能数量 | 1 | - | 1 | 1 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
封装代码 | DIP | - | DIP | DIP |
封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
并行/串行 | PARALLEL | - | PARALLEL | PARALLEL |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | - | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V | - | 2.7 V | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V | - | 3 V | 3 V |
表面贴装 | NO | - | NO | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | - | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | THROUGH-HOLE | - | PIN/PEG | THROUGH-HOLE |
端子节距 | 2.54 mm | - | 2.54 mm | 2.54 mm |
端子位置 | DUAL | - | DUAL | DUAL |
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