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DPS256S8P-10I

产品描述SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDMA32, CERDIP-32
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文件大小137KB,共6页
制造商Twilight Technology Inc
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DPS256S8P-10I概述

SRAM Module, 256KX8, 100ns, CMOS, CDMA32, CERDIP-32

DPS256S8P-10I规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Twilight Technology Inc
零件包装代码MODULE
包装说明DIP, DIP32,.6
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间100 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDMA-T32
内存密度2097152 bit
内存集成电路类型SRAM MODULE
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数262144 words
字数代码256000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织256KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP32,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式MICROELECTRONIC ASSEMBLY
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.000135 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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