Transistor
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
包装说明 | , |
Reach Compliance Code | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A |
配置 | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 |
JESD-609代码 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C |
极性/信道类型 | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W |
表面贴装 | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
BFG590W/XT/R | BFG590WT/R | |
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描述 | Transistor | Transistor |
是否Rohs认证 | 不符合 | 不符合 |
厂商名称 | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) | Philips Semiconductors (NXP Semiconductors N.V.) |
Reach Compliance Code | unknown | unknown |
最大集电极电流 (IC) | 0.2 A | 0.2 A |
配置 | Single | Single |
最小直流电流增益 (hFE) | 60 | 60 |
JESD-609代码 | e0 | e0 |
最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
极性/信道类型 | NPN | NPN |
最大功率耗散 (Abs) | 0.5 W | 0.5 W |
表面贴装 | YES | YES |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) | Tin/Lead (Sn/Pb) |
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