Pin Diode, 2000V V(BR), Silicon, HERMETIC SEALED PACKAGE-1
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 包装说明 | HERMETIC SEALED PACKAGE-1 |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE C |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 其他特性 | HIGH RELIABILITY |
| 应用 | SWITCHING |
| 最小击穿电压 | 2000 V |
| 外壳连接 | ANODE |
| 配置 | SINGLE |
| 最大二极管电容 | 4 pF |
| 标称二极管电容 | 3.4 pF |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 最大二极管正向电阻 | 0.2 Ω |
| 二极管电阻测试电流 | 500 mA |
| 二极管电阻测试频率 | 4 MHz |
| 二极管类型 | PIN DIODE |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-X1 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 少数载流子标称寿命 | 30 µs |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 1 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 最大功率耗散 | 13 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 反向测试电压 | 100 V |
| 表面贴装 | NO |
| 技术 | POSITIVE-INTRINSIC-NEGATIVE |
| 端子面层 | TIN LEAD |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
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