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HZU3.9B1TRF

产品描述Zener Diode, 3.835V V(Z), 3.52%, 0.2W, Silicon, Unidirectional
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小212KB,共7页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HZU3.9B1TRF概述

Zener Diode, 3.835V V(Z), 3.52%, 0.2W, Silicon, Unidirectional

HZU3.9B1TRF规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-G2
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G2
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散0.2 W
认证状态Not Qualified
标称参考电压3.84 V
表面贴装YES
技术ZENER
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
最大电压容差3.52%
工作测试电流5 mA

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