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MMBT5401LT3

产品描述Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小117KB,共4页
制造商Motorola ( NXP )
官网地址https://www.nxp.com
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MMBT5401LT3概述

Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-236AB, PLASTIC, CASE 318-08, 3 PIN

MMBT5401LT3规格参数

参数名称属性值
厂商名称Motorola ( NXP )
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压150 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)50
JEDEC-95代码TO-236AB
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型PNP
认证状态Not Qualified
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
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