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SF31

产品描述Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小98KB,共2页
制造商Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
标准
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SF31概述

Rectifier Diode, 1 Element, 3A, 50V V(RRM),

SF31规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Galaxy Semi-Conductor Co Ltd
包装说明O-PALF-W2
Reach Compliance Codeunknown
应用SUPER FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.95 V
JEDEC-95代码DO-27
JESD-30 代码O-PALF-W2
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流3 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
最大重复峰值反向电压50 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式WIRE
端子位置AXIAL

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BL
FEATURES
GALAXY ELECTRICAL
SF31 - - - SF38
VOLTAGE RANGE: 50 ---
600
V
CURRENT: 3.0 A
SUPER FAST RECTIFIER
Low cost
Low leakage
Low forward voltage drop
High current capability
Easily cleaned with alcohol,Isopropanol
and similar solvents
The plastic material carries U/L recognition 94V-0
DO - 27
MECHANICAL DATA
Case:JEDEC DO--27,molded plastic
Terminals: Axial lead ,solderable per
MIL- STD-202,Method 208
Polarity: Color band denotes cathode
Weight: 0.041 ounces,1.15 grams
Mounting position: Any
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
Ratings at 25
 
ambient temperature unless otherwise specified.
Single phase,half wave,60 Hz,resistive or inductive load. For capacitive load,derate by 20%.
SF31
Maximum recurrent peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forw ard rectified current
9.5mm lead length,
@T
A
=75
SF32
100
70
100
SF33 SF34
150
105
150
200
140
200
3.0
SF35 SF36
SF37 SF38
UNITS
300
210
300
400
280
400
500
350
500
600
420
600
V
V
V
A
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
50
35
50
Peak forw ard surge current
8.3ms single half-sine-w ave
superimposed on rated load
@T
J
=125
I
FSM
125.0
A
Maximum instantaneous forw ard voltage
@ 3.0A
Maximum reverse current
@T
A
=25
V
F
I
R
t
rr
C
J
R
θ
JA
T
J
T
STG
0.95
5.0
50.0
35
100
20
- 55 ----- + 150
- 55 ----- + 150
1.3
1.7
V
A
ns
at rated DC blocking voltage @T
A
=100
Maximum reverse recovery time
Typical junction capacitance
Typical thermal resistance
(Note1)
(Note2)
(Note3)
50
pF
/W
Operating junction temperature range
Storage temperature range
NOTE: 1. Measured with I
F
=0.5A, I
R
=1A, I
rr
=0.25A.
www.galaxycn.com
2. Measured at 1.0MH
Z
and applied rev erse v oltage of 4.0V DC.
3. Thermal resistance f rom junction to ambient.
Document Number 0264003S
BL
GALAXY ELECTRICAL
1.

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