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OM11N60SAT

产品描述Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小111KB,共4页
制造商Omnirel Corp
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OM11N60SAT概述

Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 600V, 0.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-254AA,

OM11N60SAT规格参数

参数名称属性值
厂商名称Omnirel Corp
Reach Compliance Codeunknown
其他特性HIGH RELIABILITY
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压600 V
最大漏极电流 (ID)11 A
最大漏源导通电阻0.5 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-254AA
JESD-30 代码S-MSFM-P3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
封装主体材料METAL
封装形状SQUARE
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)52 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式PIN/PEG
端子位置SINGLE
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
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