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IDT70V9189L12PFI

产品描述Dual-Port SRAM, 64KX9, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
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制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT70V9189L12PFI概述

Dual-Port SRAM, 64KX9, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70V9189L12PFI规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码QFP
包装说明LFQFP,
针数100
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码3A991.B.2.B
最长访问时间12 ns
其他特性PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码S-PQFP-G100
JESD-609代码e0
长度14 mm
内存密度589824 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度9
湿度敏感等级3
功能数量1
端子数量100
字数65536 words
字数代码64000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织64KX9
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LFQFP
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)240
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.6 mm
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层TIN LEAD
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间20
宽度14 mm

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HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 9
SYNCHRONOUS PIPELINED
DUAL-PORT STATIC RAM
Features:
IDT70V9189/79L
True Dual-Ported memory cells which allow simultaneous
access of the same memory location
High-speed clock to data access
– Commercial: 6.5/7.5/9/12ns (max.)
– Industrial: 9ns (max.)
Low-power operation
– IDT70V9189/79L
Active: 500mW (typ.)
Standby: 1.5mW (typ.)
Flow-Through or Pipelined output mode on either port via
the
FT/PIPE
pins
Counter enable and reset features
Dual chip enables allow for depth expansion without
additional logic
Full synchronous operation on both ports
– 4ns setup to clock and 0ns hold on all control, data, and
address inputs
– Data input, address, and control registers
– Fast 6.5ns clock to data out in the Pipelined output mode
– Self-timed write allows fast cycle time
– 10ns cycle time, 100MHz operation in Pipelined output mode
LVTTL- compatible, single 3.3V (±0.3V) power supply
Industrial temperature range (–40°C to +85°C) is
available for selected speeds
Available in a 100-pin Thin Quad Flatpack (TQFP)
Functional Block Diagram
R/W
OE
L
CE
0L
CE
1L
R/W
R
OE
R
CE
0R
CE
1R
1
0
0/1
1
0
0/1
FT/PIPE
L
0/1
1
0
0
1
0/1
FT/PIPE
R
,
I/O
0L
- I/O
8L
I/O
Control
I/O
Control
I/O
0R
- I/O
8R
A
15L
(1)
A
0L
CLK
L
ADS
L
CNTEN
L
CNTRST
L
Counter/
Address
Reg.
MEMORY
ARRAY
Counter/
Address
Reg.
A
15R
(1)
A
0R
CLK
R
ADS
R
CNTEN
R
CNTRST
R
4860 drw 01
NOTE:
1. A
15
X
is a NC for IDT70V9179.
FEBRUARY 2004
1
©2004 Integrated Device Technology, Inc.
DSC-4860/3

IDT70V9189L12PFI相似产品对比

IDT70V9189L12PFI IDT70V9189L7PFI
描述 Dual-Port SRAM, 64KX9, 12ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 Dual-Port SRAM, 64KX9, 7.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100
是否无铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 IDT (Integrated Device Technology) IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码 QFP QFP
包装说明 LFQFP, LFQFP,
针数 100 100
Reach Compliance Code compliant compliant
ECCN代码 3A991.B.2.B 3A991.B.2.B
最长访问时间 12 ns 7.5 ns
其他特性 PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE PIPELINED OUTPUT MODE; SELF-TIMED WRITE CYCLE
JESD-30 代码 S-PQFP-G100 S-PQFP-G100
JESD-609代码 e0 e0
长度 14 mm 14 mm
内存密度 589824 bit 589824 bit
内存集成电路类型 DUAL-PORT SRAM DUAL-PORT SRAM
内存宽度 9 9
湿度敏感等级 3 3
功能数量 1 1
端子数量 100 100
字数 65536 words 65536 words
字数代码 64000 64000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C
组织 64KX9 64KX9
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 LFQFP LFQFP
封装形状 SQUARE SQUARE
封装形式 FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行 PARALLEL PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度) 240 240
认证状态 Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.6 mm 1.6 mm
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 3 V 3 V
标称供电电压 (Vsup) 3.3 V 3.3 V
表面贴装 YES YES
技术 CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.5 mm
端子位置 QUAD QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间 20 20
宽度 14 mm 14 mm
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