电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

C-13-DFBA-PD-S2I/APC-O-G5

产品描述DFB Laser Module Emitter, 1280nm Min, 1335nm Max, Through Hole Mount
产品类别无线/射频/通信    光纤   
文件大小154KB,共4页
制造商Source Photonics
下载文档 详细参数 全文预览

C-13-DFBA-PD-S2I/APC-O-G5概述

DFB Laser Module Emitter, 1280nm Min, 1335nm Max, Through Hole Mount

C-13-DFBA-PD-S2I/APC-O-G5规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Source Photonics
Reach Compliance Codeunknown
内置特性ISOLATOR, MONITOR PHOTODIODE
通信标准GR-468
光纤设备类型DFB LASER MODULE EMITTER
光纤类型9/125, SMF
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度85 °C
最低工作温度-20 °C
最大工作波长1335 nm
最小工作波长1280 nm
标称工作波长1310 nm
电源电流40 mA
最大供电电压1.8 V
标称供电电压1.2 V
表面贴装NO
最小阈值电流20 mA
传输类型DIGITAL

文档预览

下载PDF文档
P/N: C-13-DFBA-PX-SXXXI/XXX-X-XX
Analog 1310nm MQW-DFB Laser Diode Module
Features
Laser diode with multi-quantum-well structure
Un-cooled operation at -20 to +85°C
Built-in InGaAs monitor photodiode
Hermetically sealed active component
Complies with Telcordia Technologies GR-468-CORE
Single frequency operation with high SMSR
Fiber pigtailed package with optional FC/ST/SC/MU/LC connector
Design for Analog fiber-optics application
RoHS Compliant available
Absolute Maximum Ratings (Tc=25°C)
Parameter
Fiber Output Power
Reverse Voltage
PD Reverse Voltage
PD Forward Current
Operating Temperature
Storage Temperature
H/2
Symbol
P
f
V
RLD
V
RPD
I
FPD
T
opr
T
stg
Rating
2.5(H)/4(2)
2
20
2
-20 ~ 85
-40 ~ 85
Unit
mW
V
V
mA
°C
°C
(All optical data refer to a coupled 9/125
μ
m SM fiber)
Optical and Electrical Characteristics
Parameter
Threshold Current
Operating Current
Optical Output Power
Operating Voltage
Peak Wavelength
Side mode Suppression Ratio
Slope Efficiency
Optical Isolation
Rise / Fall Time
Relative Intensity Noise
Second Order Distortion
H
2
H
2
Symbol
Ith
I
op
P
f
V
F
λ
S
r
S
e
OI
T
r
/T
f
RIN
SSO
(Tc=25°C)
Min.
-
-
1
2
-
1280
30
0.05
0.1
45
30
-
-
-
Typ.
10
20
-
-
1.2
1310
40
-
-
-
-
-
-150
-
1
DS-6031 Rev 0.0 2010-03-11
Max.
20
40
2
-
1.8
1335
-
0.1
-
-
-
0.5
-145
-40
Unit
mA
mA
mW
V
nm
dB
Notes
CW
CW, P
f
= P
f
(Min)
CW, Ith+20mA, kink free
CW, P
f
= P
f
(Min)
CW, P
f
= P
f
(Min),
RMS(-20dB)
T
c
= -20~85°C
CW, P
f
= P
f
(Min), -20~85°C
mW/mA
dB
ns
dB/Hz
dBc
CW, P
f
= P
f
(Min)
T
c
=25
°C
-20
°C
< T
c
< 85
°C
Ibias=Ith, 10~90%
CW
Note1
5qzone_10天学会avr和c语言
5qzone_10天学会avr和c语言...
wu170777 Microchip MCU
2012市血液中心血液检测实验室仪器及设备采购暂行办法(范本)
第一章 总 则 第一条 血液检测仪器设备是血液检测实验室建设的重要组成部分,仪器设备的采购决策要建立在了解血液检测发展动态的基础之上,沿着规范的采购流程,采取科学、有效的采购方式,确 ......
xiaonn 医疗电子
关于运行地址和加载地址的问题
在连接目标代码时,会提到运行地址和加载地址. 问:有什么区别吗? 如果程序是在flash里跑,是不是运行地址和加载地址是相同的? 如果程序是在ram里跑,但程序是存储在flash里的,是不是运行地 ......
zc85377 嵌入式系统
2018年意法半导体 电机控制路演深圳站开始报名啦~
2018年意法半导体电机控制路演 ——深圳,2018年9月20日诚挚邀请您参加! https://www.st.com/content/dam/OLM%20Email%20Marketing/2018/ASIA%20PAC/Events/Motor%20Control%20Roadshow%20 ......
EEWORLD社区 电机控制
【Altera SoC】基于SOPC的单通道TDC设计(1)
1 硬件系统的构建经过“基于超前进位延时链的时间数字转换器”和“延时链测试以及亚稳态分析”两篇文章后,开始着手构建基于SOPC的单通道TDC。最终构建的硬件系统框图如图 11所示。Top_sch的内 ......
xiaomai516 FPGA/CPLD
GaN射频电路及应用
与GaAs、Si和SiGe相比,GaN技术为卫星通信和5G蜂窝通信等射频功率应用提供了理想的材料特性。如图12所示,由于GaN在2-7 GHz (FR1波段)和毫米波波段(.24GHz, FR2波段),GaN主导射频功率应用。对 ......
兰博 无线连接

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2698  1572  1436  2580  1186  32  18  6  7  20 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved