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MJE271

产品描述Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小52KB,共2页
制造商CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
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MJE271概述

Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3

MJE271规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称CDIL[Continental Device India Pvt. Ltd.]
零件包装代码SIP
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)2 A
集电极-发射极最大电压100 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)500
JEDEC-95代码TO-126
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)15 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)6 MHz

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This Material Copyrighted By Its Respective Manufacturer

MJE271相似产品对比

MJE271 QFN10702BKANKWS
描述 Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin, PLASTIC PACKAGE-3 Fixed Resistor, Thin Film, 0.025W, 107000ohm, 100V, 0.1% +/-Tol, -100,100ppm/Cel, 0202,
Reach Compliance Code compliant unknown
ECCN代码 EAR99 EAR99
端子数量 3 2
最高工作温度 150 °C 125 °C
封装形式 FLANGE MOUNT SMT

 
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