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HY628100BLLT1-85

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32
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文件大小126KB,共9页
制造商SK Hynix(海力士)
官网地址http://www.hynix.com/eng/
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HY628100BLLT1-85概述

Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

HY628100BLLT1-85规格参数

参数名称属性值
厂商名称SK Hynix(海力士)
零件包装代码TSOP1
包装说明TSOP1, TSSOP32,.8,20
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间85 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PDSO-G32
JESD-609代码e6
长度18.4 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP32,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源5 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
最小待机电流2 V
最大压摆率0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层TIN BISMUTH
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
宽度8 mm

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HY628100B Series
128Kx8bit CMOS SRAM
Document Title
128K x8 bit 5.0V Low Power CMOS slow SRAM
Revision History
Revision No
10
History
Initial Revision History Insert
Draft Date
Jul.14.2000
Remark
Final
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hyundai Electronics does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev 10 / Jul.00
Hyundai Semiconductor

 
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