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IDT7012L70CB

产品描述Multi-Port SRAM, 2KX9, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
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文件大小235KB,共8页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
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IDT7012L70CB概述

Multi-Port SRAM, 2KX9, 70ns, CMOS, CDIP48, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48

IDT7012L70CB规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码DIP
包装说明0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-48
针数48
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码3A001.A.2.C
最长访问时间70 ns
其他特性AUTOMATIC POWER-DOWN
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-CDIP-T48
JESD-609代码e0
长度60.96 mm
内存密度18432 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度9
功能数量1
端口数量2
端子数量48
字数2048 words
字数代码2000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
组织2KX9
输出特性3-STATE
可输出YES
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装等效代码DIP48,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
电源5 V
认证状态Not Qualified
筛选级别38535Q/M;38534H;883B
座面最大高度4.826 mm
最大待机电流0.004 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.2 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度15.24 mm
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