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CFY66-08P

产品描述RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, MICRO-X-4
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小111KB,共7页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
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CFY66-08P概述

RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, K Band, Gallium Arsenide, N-Channel, High Electron Mobility FET, MICRO-X-4

CFY66-08P规格参数

参数名称属性值
厂商名称Qorvo
包装说明DISK BUTTON, O-CRDB-F4
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性LOW NOISE
外壳连接SOURCE
配置SINGLE
最小漏源击穿电压3.5 V
最大漏极电流 (ID)0.06 A
FET 技术HIGH ELECTRON MOBILITY
最高频带K BAND
JESD-30 代码O-CRDB-F4
JESD-609代码e4
元件数量1
端子数量4
工作模式DEPLETION MODE
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状ROUND
封装形式DISK BUTTON
极性/信道类型N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)10 dB
认证状态Not Qualified
参考标准ESA/SCC 5613/002
表面贴装YES
端子面层GOLD
端子形式FLAT
端子位置RADIAL
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料GALLIUM ARSENIDE
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