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CMC9-65608V-30

产品描述Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32
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文件大小549KB,共10页
制造商Atmel (Microchip)
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CMC9-65608V-30概述

Standard SRAM, 128KX8, 30ns, CMOS, CDIP32, 0.400 INCH, SIDE BRAZED, DIP-32

CMC9-65608V-30规格参数

参数名称属性值
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码DIP
包装说明DIP,
针数32
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间30 ns
JESD-30 代码R-CDIP-T32
长度40.64 mm
内存密度1048576 bit
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
功能数量1
端子数量32
字数131072 words
字数代码128000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织128KX8
封装主体材料CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码DIP
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
并行/串行PARALLEL
认证状态Not Qualified
座面最大高度4.3 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm
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