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TLE2142MD

产品描述High Speed High Drive Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小3MB,共82页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到20个与TLE2142MD功能相似器件
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TLE2142MD概述

High Speed High Drive Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125

TLE2142MD规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time1 week
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)1.8 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)2 µA
最小共模抑制比85 dB
标称共模抑制比108 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.1 µA
最大输入失调电压1200 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-22 V
标称负供电电压 (Vsup)-15 V
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源5/+-15 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率27 V/us
标称压摆率45 V/us
最大压摆率4.4 mA
供电电压上限22 V
标称供电电压 (Vsup)15 V
表面贴装YES
技术BIPOLAR
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽6000 kHz
最小电压增益20000
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

与TLE2142MD功能相似器件

器件名 厂商 描述
TLE2142MDR Texas Instruments(德州仪器) High Speed High Drive Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC -55 to 125
TLE2142MDG4 Texas Instruments(德州仪器) High Speed High Drive Precision Dual Operational Amplifier 8-SOIC
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