TLE2072IP: 产品描述Dual Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP; 产品类别模拟混合信号IC 放大器电路; 文件大小2MB，共83页; 制造商Texas Instruments(德州仪器); 官网地址http://www.ti.com.cn/; 标准; 相似器件已查找到1个与TLE2072IP功能相似器件

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TLE2072IP概述

Dual Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP

参数名称	属性值
Brand Name	Texas Instruments
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
零件包装代码	DIP
包装说明	DIP, DIP8,.3
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	1 week
放大器类型	OPERATIONAL AMPLIFIER
架构	VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)	0.01 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)	0.000175 µA
最小共模抑制比	79 dB
标称共模抑制比	89 dB
频率补偿	YES
最大输入失调电流 (IIO)	0.0001 µA
最大输入失调电压	9100 µV
JESD-30 代码	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e4
长度	9.81 mm
低-偏置	YES
低-失调	NO
微功率	NO
负供电电压上限	-19 V
标称负供电电压 (Vsup)	-5 V
功能数量	2
端子数量	8
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	DIP
封装等效代码	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
包装方法	TUBE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
功率	NO
电源	+-5/+-15 V
可编程功率	NO
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	5.08 mm
最小摆率	22 V/us
标称压摆率	35 V/us
最大压摆率	3.9 mA
供电电压上限	19 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	NO
技术	BIFET
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子节距	2.54 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽	9400 kHz
最小电压增益	8912.5
宽带	NO
宽度	7.62 mm
Base Number Matches	1

器件名	厂商	描述
TLE2072IPE4	Texas Instruments(德州仪器)	Dual Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-PDIP

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