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TLE2071ACDR

产品描述Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC
产品类别模拟混合信号IC    放大器电路   
文件大小2MB,共89页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准
相似器件已查找到5个与TLE2071ACDR功能相似器件
敬请期待 详细参数

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TLE2071ACDR概述

Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC

TLE2071ACDR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time6 weeks
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
架构VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)0.000175 µA
25C 时的最大偏置电流 (IIB)0.000175 µA
最小共模抑制比80 dB
标称共模抑制比98 dB
频率补偿YES
最大输入失调电流 (IIO)0.0001 µA
最大输入失调电压2000 µV
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e4
长度4.9 mm
低-偏置YES
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级1
负供电电压上限-19 V
标称负供电电压 (Vsup)-5 V
功能数量1
端子数量8
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
功率NO
电源+-5/+-15 V
可编程功率NO
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.75 mm
最小摆率27 V/us
标称压摆率40 V/us
最大压摆率2.2 mA
供电电压上限19 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术BIFET
温度等级COMMERCIAL
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
标称均一增益带宽10000 kHz
最小电压增益8912.5
宽带NO
宽度3.9 mm
Base Number Matches1

与TLE2071ACDR功能相似器件

器件名 厂商 描述
TLE2071ACD Texas Instruments(德州仪器) Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
TLE2071ACDG4 Texas Instruments(德州仪器) Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC 0 to 70
TLE2071ACDRG4 Texas Instruments(德州仪器) Operational Amplifiers - Op Amps Excalibur Low-Noise Hi-Speed JFET-Input
TLE2071AID Texas Instruments(德州仪器) Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC -40 to 85
TLE2071AIDR Texas Instruments(德州仪器) Excalibur Low-Noise High-Speed JFET-Input Operational Amplifier 8-SOIC

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