电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索

MURF1620CT

产品描述Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小184KB,共3页
制造商Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
标准
下载文档 详细参数 全文预览

MURF1620CT在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
MURF1620CT - - 点击查看 点击购买

MURF1620CT概述

Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 8A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB, ITO-220AB, 3 PIN

MURF1620CT规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Sangdest Microelectronics (Nanjing) Co Ltd
包装说明ITO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Codecompliant
其他特性LOW LEAKAGE CURRENT
应用ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接ISOLATED
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.5 V
JEDEC-95代码TO-220AB
JESD-30 代码R-PSFM-T3
最大非重复峰值正向电流125 A
元件数量2
相数1
端子数量3
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流8 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流10 µA
最大反向恢复时间0.035 µs
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

文档预览

下载PDF文档
MURF1620CT
Technical Data
Data Sheet N0352, Rev. A
MURF1620CT ULTRAFAST RECTIFIER
Features
Ultra-Fast Switching
High Current Capability
Low Reverse Leakage Current
High Surge Current Capability
Plastic Material has UL Flammability Classification 94V-O
This is a Pb − Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional testing can be offered upon request
ITO-220AB
Circuit Diagram
Applications
Switching Power Supply
Power Switching Circuits
General Purpose
Maximum Ratings:
Characteristics
Peak Repetitive Reverse Voltage
Working Peak Reverse Voltage
DC Blocking Voltage
Average Rectified Forward Current
Peak One Cycle Non-Repetitive Surge
Current(Per Leg)
Symbol
V
RRM
V
RWM
V
R
I
F (AV)
I
FSM
Condition
-
50% duty cycle @T
A
=55°C,
rectangular wave form
8.3ms, Half Sine pulse
Max.
200
8(Per Leg)
16(Per Device)
125
Units
V
A
A
Electrical Characteristics:
Characteristics
Forward Voltage Drop(Per Leg)*
Reverse Current(Per Leg)*
Reverse Recovery Time(Per Leg)
Typical Junction Capacitance(Per Leg)
RSM Isolation Voltage
(t=1.0 second,R.H.<
=30%,
T
A
=25C)
Symbol
V
F1
I
R1
I
R2
t
rr
C
J
Condition
@ 8A, Pulse, T
J
= 25C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 25C
@V
R
= rated V
R,
T
J
= 125C
@I
F
=500mA, I
R
=1A,and I
rm
=250mA
@V
R
= 5V, T
C
= 25℃, f
SIG
= 1MHz
Clip mouting, the epoxy body away
from the heatsink edge by more
than 0.110”along the lead direction.
Clip mouting, the epoxy body is
inside the heatsink
Screw mounting, the epoxy body is
inside the heatsink
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
1.5
10
500
35
80
4500
3500
1500
Units
V
μA
μA
ns
pF
V
iso
V
* Pulse width < 300 µs, duty cycle < 2%
China - Germany - Korea - Singapore - United States
http://www.smc-diodes.com - sales@ smc-diodes.com
sim卡读写问题?
哪位大侠做过sim卡的读写驱动?麻烦给个例子,多谢.另外有个问题请教:当发送select命令给sim卡时,发送如下数据0xA0,0xA4,0x00,0x00,0x02(Selectcommand)0x10,0x7F(FileID,DF)返回如下数据(按返回 ......
dianzijie5 嵌入式系统
收拾发短信的骗子们怪招~~~~
一直很郁闷,总没有收到过骗子的短信,以至于总觉得受歧视      今天,终于收到了一条骗子短信,还是时下最流行的冒充银行骗取卡号的骗局,全文如下:工商银行通知:贵用户牡丹卡正 ......
huchuan987 聊聊、笑笑、闹闹
用机顶盒制作自动调校电子钟程序(代码)
用机顶盒制作自动调校电子钟程序(代码) 看看对你们有何启发呢~~ 133362...
cardin6 创意市集
无线Mesh网络关键技术
摘要:无线Mesh网络(WMN)是一种特殊的Ad hoc网络,具有分层的网络结构,其传输骨干网具有多跳、拓扑稳定、无供电约束、业务流量相对汇聚等特性。提高WMN频谱空间复用度是增加网络容量有效的方法 ......
吸铁石上 无线连接
精选一波MSP430资料,想学的赶紧收!
管管为大家伙儿精心整理了一波MSP430资料,有需要的朋友们,赶紧收起来吧! TI培训:MSP430F5529的使用与开发 TI MCU Design Days技术讲座实录 TI MSP430FR5969设计实战攻略——将低功耗设 ......
okhxyyo 微控制器 MCU
这个题怎么做
这个题怎么做...
wangalt 模拟电子

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 2143  322  382  2663  528  44  7  8  54  11 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved