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BD140-6

产品描述TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小190KB,共7页
制造商NXP(恩智浦)
官网地址https://www.nxp.com
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BD140-6概述

TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA

BD140-6规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称NXP(恩智浦)
包装说明,
Reach Compliance Codeunknown
最大集电极电流 (IC)1.5 A
配置Single
最小直流电流增益 (hFE)40
JESD-609代码e0
最高工作温度150 °C
极性/信道类型PNP
最大功率耗散 (Abs)13 W
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT)75 MHz

BD140-6相似产品对比

BD140-6 BD136-6
描述 TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,1.5A I(C),TO-225AA
是否Rohs认证 不符合 不符合
厂商名称 NXP(恩智浦) NXP(恩智浦)
Reach Compliance Code unknown unknown
最大集电极电流 (IC) 1.5 A 1.5 A
配置 Single Single
最小直流电流增益 (hFE) 40 40
JESD-609代码 e0 e0
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 PNP PNP
最大功率耗散 (Abs) 13 W 13 W
表面贴装 NO NO
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) Tin/Lead (Sn/Pb)
标称过渡频率 (fT) 75 MHz 75 MHz

 
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